[发明专利]半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 201010286279.6 | 申请日： | 2010-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102024410A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 小山润;梅崎敦司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；
第四晶体管；
第五晶体管；以及
第六晶体管，
其中，所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线，所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线，
所述第二晶体管的第一端子电连接于第三布线，所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第二布线，
所述第三晶体管的第一端子电连接于所述第一布线，所述第三晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极，所述第三晶体管的栅极电连接于第四布线，
所述第四晶体管的第一端子电连接于所述第三布线，所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的所述栅极，所述第四晶体管的栅极电连接于所述第二晶体管的栅极，
所述第五晶体管的第一端子电连接于第五布线，所述第五晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的所述栅极，
并且，所述第六晶体管的第一端子电连接于所述第三布线，所述第六晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的所述栅极，所述第六晶体管的栅极电连接于所述第四布线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，对所述第四布线输入第一信号，
从所述第二布线输出第二信号，
并且，所述第二信号的振幅电压大于所述第一信号的振幅电压。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第一信号是数字信号，
所述第二信号是数字信号，
在所述第一信号是H电平时，所述第二信号是H电平，
并且，在所述第一信号是L电平时，所述第二信号是L电平。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第五晶体管的栅极电连接于第六布线。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第五晶体管的栅极电连接于所述第一布线。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第五晶体管的栅极电连接于所述第五布线。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第四布线电连接于移位寄存电路。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一至第六晶体管是包括氧化物半导体的晶体管。
9.一种具备权利要求1所述的半导体装置的电子设备。
10.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；
第四晶体管；
第五晶体管；以及
第六晶体管，
其中，所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线，所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线，
所述第二晶体管的第一端子电连接于第三布线，所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第二布线，
所述第三晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极，
所述第四晶体管的第一端子电连接于所述第三布线，所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的所述栅极，所述第四晶体管的栅极电连接于所述第二晶体管的栅极，
所述第五晶体管的第一端子电连接于第五布线，所述第五晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的所述栅极，所述第五晶体管的栅极电连接于第六布线，
并且，所述第六晶体管的第一端子电连接于所述第三布线，所述第六晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的所述栅极，所述第六晶体管的栅极电连接于第四布线。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，
其中，对所述第四布线输入第一信号，
从所述第二布线输出第二信号，
并且，所述第二信号的振幅电压大于所述第一信号的振幅电压。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，
其中，所述第一信号是数字信号，
所述第二信号是数字信号，
在所述第一信号是H电平时，所述第二信号是H电平，
并且，在所述第一信号是L电平时，所述第二信号是L电平。
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