[发明专利]一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚无效
申请号: | 201010286199.0 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN102400214A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 杨业林;陈宝昌 | 申请(专利权)人: | 扬州华尔光电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 徐激波 |
地址: | 225600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 多晶 制备 复合 涂层 石英 坩埚 | ||
1.一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚,其特征在于:包括基体(1)、中间过渡层(2)、第二中间层(3)和内表面涂层(4),所述基体(1)的内壁设有中间过渡层(2),中间过渡层(2)上设有第二中间层(3),第二中间层(3)上设有内表面涂层(4)。
2.根据权利要求1所述一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚,其特征在于:所述中间过渡层(2)厚度为200-500μm之间,中间过渡层(2)的材料是硅。
3.根据权利要求1所述一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚,其特征在于:所述第二中间层(3)厚度为50-100μm之间,第二中间层(3)的材料是二氧化硅和氮化硅。
4.根据权利要求1所述一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚,其特征在于:所述内表面涂层(4)厚度为200-500μm之间,内表面涂层(4)的材料是氮化硅、二氧化硅和硅。
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