[发明专利]一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡

说明书

技术领域

本发明涉及智能卡技术领域，尤其涉及一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡。

背景技术

近年来，随着对智能卡的运算速度、容量和接口速度要求的提高，以及利用智能卡为用户提供更丰富的业务服务，开发出了大容量智能卡。大容量智能卡相比普通智能卡，其中的CPU、RAM、EEPROM、计数器、安全处理设备没有变化，外形、管脚的作用和位置也没有变化，区别为在原有的智能卡芯片外，增加了大容量的FLASH存储器，例如非易失性闪存NAND闪存或非易失性闪存NOR闪存，用于存储代码和数据。

NOR闪存和NAND闪存是目前两种主要的非易失性闪存。NOR闪存的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR闪存的传输效率很高，在容量为1～4MB时具有很高的成本效益，但是较低的写入和擦除速度影响了它的性能。NAND闪存能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，应用NAND闪存的不足在于闪存的管理需要特殊的系统接口。

NOR闪存和NAND闪存的共同特点是存储容量大，所以，目前大容量智能卡中主要使用NOR闪存或NAND闪存，多用在数码产品、SD卡、手机终端内的SIM卡等，有效的为以上设备提供了充足的存储容量，供各类程序、数据、文件等使用。

目前，在智能卡使用时，对于智能卡与智能卡所在设备之间的机卡接口电压一般支持三个等级，分别为5V、3V和1.8V，与三个电压等级对应的，对机卡接口的电流有一定的限制。以手机终端中使用SIM卡为例，在正常的操作条件下，限制手机终端与SIM卡的机卡接口所承受的电流不超过15mA，考虑到提供一些冗余度，最高不超过20mA，当机卡接口电流超过限制时，将导致手机终端出现异常情况，例如，会为防止异常攻击而强制关机。

然而，对于大容量智能卡而言，由于对其中的大容量存储器进行数据擦写操作的特性，会导致机卡接口电流比普通智能卡大，以通过Update Binary指令向智能卡中的NAND闪存写入11字节的随机数为例进行测试，结果为：在对NAND闪存进行数据擦写的过程中，机卡接口的平均尖峰电流达到23mA，在未对NAND闪存进行数据擦写而运行其他程序时，机卡接口电流为6-10mA，在智能卡空闲时，机卡接口电流为2mA左右。从测试结果中可知，在对NAND闪存进行数据擦写操作时机卡接口电流超出了正常的电流范围，进而导致手机终端出现异常；并且，较大的电流也带来了更多手机终端的电池电量的消耗，减少了手机终端的待机时间。

发明内容

本发明实施例提供一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡，用以减小对智能卡中的指定存储器进行数据擦写时机卡接口的电流，进而避免由于机卡接口的电流过高而出现异常情况。

本发明实施例提供一种智能卡中的存储器的数据擦写方法，包括：

智能卡中的中央处理器CPU确定出将对所述智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到所述指定存储器的随机存储缓存中；并

在向所述指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；所述数据擦写信号用于指示所述指定存储器通过从所述随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。

本发明实施例还提供一种智能卡，包括：CPU和存储器，其中：

所述CPU，用于确定出将对所述存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到所述存储器的随机存储缓存中；并在向所述存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；

所述存储器，具体用于在接收到所述数据擦写信号后，通过从所述随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。

本发明实施例提供的方法中，当确定出将要对智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，先将待写入数据缓存到指定存储器的随机存储缓存中，并在向指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；并且该数据擦写信号用于指示指定存储器通过从随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。由于指定存储器进行数据擦写操作时，CPU已进入待机休眠模式，即停止进行处理操作，所以，此时机卡接口的电流仅为指定存储器进行数据擦写操作所产生的电流，相比现有技术，减小了CPU进行处理操作所产生的电流，也就减小了机卡接口的电流，进而避免了由于机卡接口的电流过高而出现异常情况；并且由于电流的减小，减少了电量的消耗，提高了智能卡所在设备的待机时间。

附图说明

图1为本发明实施例提供的智能卡中的存储器的数据擦写方法的流程图；