[发明专利]纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法，其特征在于由下述步骤组成：

(1)清洗石英玻璃衬底

将1mm厚的石英玻璃衬底放置于双氧水与质量百分数为30％的氨水、去离子水按体积比为1∶1∶5混合的清洗液A中，用功率为30W的超声波发生器、频率为30kHz的超声波60℃清洗10分钟，用去离子水冲洗干净；再放置于双氧水与质量百分数为30％盐酸、去离子水按体积比为1∶1∶5混合的清洗液B中，用功率为30W的超声波发生器、频率为30kHz的超声波中60℃清洗10分钟，用去离子水冲洗干净，清洗后的石英玻璃衬底用氮气吹干；

(2)真空蒸镀铝膜

将清洗后的石英玻璃衬底和放有纯度为99.999％铝棒的钨舟放入真空镀膜机的真空室内，抽真空至真空室的背景真空度为2×10^-4Pa，给钨舟通120～140A电流蒸发铝，在石英玻璃衬底上蒸镀一层200～800nm厚的铝膜；

(3)退火

将蒸镀铝膜的石英玻璃衬底在空气中400～700℃退火30～120分钟，制备成纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法，其特征在于：在退火步骤(3)中，将蒸镀铝膜的石英玻璃衬底在空气中500～600℃退火45～90分钟。

3.根据权利要求1所述的纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法，其特征在于：在退火步骤(3)中，将蒸镀铝膜的石英玻璃衬底在空气中580℃退火60分钟。