[发明专利]发光面板以及发光面板的制造方法有效
申请号: | 201010284220.3 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102024843A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 下田悟;松本广 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 面板 以及 制造 方法 | ||
1.一种发光面板,具备:
遮光部,形成在基板的上部,具有开口;
第一电极,形成在上述遮光部的上述开口的上部;
隔壁,具有使上述第一电极的至少一部分露出的开口,并具备与上述遮光部的开口形状对应的开口;
第二电极,形成在上述第一电极的上方;以及
载体输送层,形成在上述第一电极与上述第二电极之间,至少由一层构成。
2.如权利要求1所述的发光面板,其中,
上述遮光部由导电性材料形成。
3.如权利要求1所述的发光面板,其中,
具备像素晶体管,该像素晶体管控制向上述第一电极的电力供给;
上述遮光部将上述像素晶体管遮光。
4.如权利要求3所述的发光面板,其中,
上述遮光部包括布线,上述布线连接至上述像素晶体管。
5.如权利要求3所述的发光面板,其中,
上述遮光部与连接至上述像素晶体管的某个布线导通。
6.如权利要求1所述的发光面板,其中,
上述隔壁包括由感光性树脂材料形成的第一隔壁以及设置在上述第一隔壁下的第二隔壁。
7.如权利要求6所述的发光面板,其中,
仅对上述第一隔壁的上面实施了疏液处理。
8.一种发光面板的制造方法,该发光面板具备:第一电极,形成在基板上;第二电极,形成在上述第一电极的上方;以及载体输送层,形成在上述第一电极与上述第二电极之间,至少由一层构成,该发光面板的制造方法包括:
对设有具有开口的遮光部的上述基板的上面侧涂布正型感光性树脂的工序;
以上述遮光部为掩模,从上述基板的下面朝向上述正型感光性树脂照射光而形成隔壁的工序,该隔壁具有与上述遮光部的上述开口的形状对应的形状的开口。
9.如权利要求8所述的发光面板的制造方法,其中,
还包括在涂布上述正型感光性树脂之前,形成对上述光具有透射性的上述第一电极的工序。
10.如权利要求8所述的发光面板的制造方法,其中,
还包括在形成具有上述开口的隔壁的工序之后,在上述隔壁上及上述开口的内部涂布疏液剂,从上述基板的下面照射光并将上述开口的内部的上述疏液剂分解的工序。
11.如权利要求8所述的发光面板的制造方法,其中,
上述疏液剂由下述化合物构成,该化合物具有在环上至少具有一个氮原子的杂环、多个硫醇基以及通过上述硫醇基结合的氟化烷基。
12.如权利要求8所述的发光面板的制造方法,其中,
还包括在涂布上述正型感光性树脂的工序之前,在上述遮光部的上方形成像素晶体管的工序,该像素晶体管控制向上述第一电极的电力供给。
13.如权利要求12所述的发光面板的制造方法,其中,
上述遮光部包括布线,上述布线连接至上述像素晶体管。
14.如权利要求12所述的发光面板的制造方法,其中,
上述遮光部与连接至上述像素晶体管的某个布线导通。
15.一种发光面板,具备:第一电极,形成在基板上;第二电极,形成在上述第一电极的上方;以及载体输送层,形成在上述第一电极与上述第二电极之间,至少由一层构成,
上述发光面板具备隔壁,该隔壁是在设有具有开口的遮光部的上述基板的上面侧涂布正型感光性树脂、并以上述遮光部为掩模从上述基板的下面朝向上述正型感光性树脂照射光而形成的,并具有与上述遮光部的上述开口的形状对应的形状的开口。
16.如权利要求15所述的发光面板,其中,
还具备疏液层,该疏液层是在上述隔壁上及上述开口的内部涂布疏液剂,从上述基板的下面照射光,并将上述开口的内部的上述疏液剂分解而仅在上述隔壁的上面形成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡西欧计算机株式会社,未经卡西欧计算机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010284220.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基站、终端及无线通信系统
- 下一篇:采用器官外部解剖特征的器官图像的配准
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的