[发明专利]具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料及其合成方法和用途

权利要求书

1.具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料，其特征在于其组分包括有氧化石墨、异氰酸苯酯、绝缘高分子和还原剂经反应制备而成，所述的组分含量配比为：氧化石墨：异氰酸苯酯：绝缘高分子：还原剂=50mg： 1-5mmol：0.5-5g：2-6mg。

2.按权利要求1所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料，其特征在于所述的绝缘高分子为聚苯乙烯、聚（4-乙烯基苯酚）或聚(苯乙烯-co-4-乙烯基苯酚)。

3.按权利要求1或2所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料，其特征在于所述的还原剂为水合肼、肼或二甲肼。

4.按权利要求1或2所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料，其特征在于所述的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、异丙醇、氯仿或四氢呋喃。

5.权利要求1所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料的合成方法，其特征在于包括有以下步骤：

1）利用天然石墨通过化学氧化方法制备单层或多层氧化石墨；

2）将步骤1）得到的氧化石墨与异氰酸苯酯在N,N-二甲基甲酰胺中于60－90^oC反应12－48小时，抽滤、洗涤和干燥后，得功能化的氧化石墨；

3）将步骤2）得到的功能化的氧化石墨与绝缘高分子在有机溶剂中超声0.5－2小时，然后向其中加入还原剂，于60－100^oC反应24－48小时，倒入甲醇中沉淀，过滤，真空烘干得到绝缘高分子/石墨烯复合材料，其中氧化石墨、异氰酸苯酯、绝缘高分子和还原剂的用量之比为氧化石墨：异氰酸苯酯：绝缘高分子：还原剂=50mg：1-5mmol：0.5-5g：2-6mg。

6.按权利要求5所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料的合成方法，其特征在于所述的绝缘高分子为聚苯乙烯、聚（4-乙烯基苯酚）或聚(苯乙烯-co-4-乙烯基苯酚)。

7.按权利要求5或6所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料的合成方法，其特征在于所述的还原剂为水合肼、肼或二甲肼。

8.按权利要求5或6所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料的合成方法，其特征在于所述的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、异丙醇、氯仿或四氢呋喃。

9.权利要求1所述的具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料作为电活性中间层在信息存储器中的应用。