[发明专利]一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法

权利要求书

1.一种铝硼共掺的硅太阳电池背场的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在铝浆中加入硼源，搅拌均匀，得到混合浆料；其中，硼元素在所述的混合浆料中的质量分数为0.01％-3％；

(2)在硅太阳能电池背面丝网印刷上所述的混合浆料，烘干，在650-950℃烧结，时间不超过5min。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤(1)中，所述的硼源为固态硼源或者液态硼源，所述的固态硼源为单质硼、三氧化二硼、硼酸或硼酸盐，所述的液态硼源为三氧化二硼有机溶液或有机硼化合物。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的固态硼源的颗粒大小为0.5～10μm。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的固态硼源的颗粒大小为为1-5μm。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤(1)中，所述的硼元素在所述的混合浆料中的质量分数为0.05％-1％。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，所述的烧结温度为700-875℃。

7.由如权利要求1～6任一所述的制作方法得到的铝硼共掺的硅太阳电池背场。