[发明专利]一种可调谐超导滤波器及其制作方法、金属屏蔽盒无效
| 申请号： | 201010280845.2 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102403556A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王佳;郭进;边勇波;崔彬;周曙煜;何晓锋;李超;吴云;李娜;王旭;李国强;张强;张雪强;黎红;李春光;孟继宝;何豫生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01P1/203 | 分类号： | H01P1/203;H01P7/08;H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调谐 超导 滤波器 及其 制作方法 金属 屏蔽 | ||
1.一种可调谐超导滤波器，其特征在于，包括：多个超导微带谐振器、超导微带输入输出接头；
在所述超导微带谐振器上设置有用于调节所述可调谐超导滤波器的频率的半导体变容二极管，以及用于隔离所述半导体变容二极管的直流电压的固定电容；或设置有两个负极极性相对的用于调节所述可调谐超导滤波器的频率的半导体变容二级管；
所述超导微带输入输出接头与外部微波电路相连接。
2.根据权利要求1所述的可调谐超导滤波器，其特征在于，所述超导微带谐振器、所述超导微带输入输出接头利用高温超导微带线制作而成。
3.根据权利要求1所述的可调谐超导滤波器，其特征在于，所述超导微带谐振器为环形超导微带谐振器。
4.根据权利要求1、2或3所述的可调谐超导滤波器，其特征在于，所述半导体变容二极管、所述固定电容利用混合集成电路工艺或单片集成电路工艺设置于所述超导微带谐振器上。
5.根据权利要求1、2或3所述的可调谐超导滤波器，其特征在于，所述可调谐超导滤波器为带通，低通，高通或带阻形式的可调谐超导滤波器。
6.一种金属屏蔽盒，其特征在于，封装有权利要求1、2或3所述的可调谐超导滤波器，所述超导微带输入输出接头通过SMA接头与所述外部微波电路相连接。
7.一种可调谐超导滤波器的制作方法，其特征在于，包括：
步骤一，制作超导微带谐振器、与外部微波电路连接的超导微带输入输出接头；
步骤二，在所述超导微带谐振器上设置用于调节所述可调谐超导滤波器频率的半导体变容二极管、用于隔离所述半导体变容二极管的直流电压的固定电容；或在所述超导微带谐振器上设置有两个负极极性相对的用于调节所述可调谐超导滤波器的频率的半导体变容二级管。
8.根据权利要求7所述的可调谐超导滤波器的制作方法，其特征在于，所述步骤一中，进一步包括：
利用高温超导微带线制作所述超导微带谐振器、所述超导微带输入输出接头。
9.根据权利要求7或8所述的可调谐超导滤波器的制作方法，其特征在于，所述步骤二具体为：
利用混合集成电路工艺将所述半导体变容二极管、所述固定电容粘贴在所述超导微带谐振器上；或
利用单片集成电路工艺将所述半导体变容二极管、所述固定电容生长在高温超导薄膜的衬底上，并与所述超导微带谐振器相连接。
10.根据权利要求7或8所述的可调谐超导滤波器的制作方法，其特征在于，所述可调谐超导滤波器为带通，低通，高通或带阻形式的可调谐超导滤波器。
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