[发明专利]一种深孔硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010280087.4 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102398887A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 凯文·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深孔硅 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种深孔硅刻蚀方法，包括多个循环进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤和侧壁保护步骤，其特征在于：
所述刻蚀步骤供应刻蚀反应气体到放置有待刻蚀硅片的反应腔，刻蚀硅层并形成开口，
所述侧壁保护步骤供应侧壁保护气体，其中侧壁保护气体包括含硅气体SiF4和含氧气体反应并沉积在所述开口的侧壁和底部形成氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的深孔硅刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括SF6、NF3之一或其混合物。
3.根据权利要求2所述的深孔硅刻蚀方法方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括CO2。
4.根据权利要求1所述的深孔硅刻蚀方法方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括SiF4，在刻蚀步骤到侧壁保护步骤转换时提高SiF4的供气量。
5.根据权利要求1所述的深孔硅刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁保护气体中的含硅气体还包括SiH4，其中含氧气体是氧气。
6.根据权利要求3所述的深孔硅刻蚀方法，其特征在于，所述每个刻蚀步骤的刻蚀形成的开口深度为5-10um。
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