[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：

多层布线层；

半导体基板，设在上述多层布线层上，具有第1导电型层；

第2导电型的杂质扩散区域，将上述第1导电型层划分为多个区域；

防反射膜，设在上述半导体基板上；

滤色器，按照上述划分出的每个区域设在上述防反射膜上；以及

金属性层，形成在上述半导体基板的下表面的除了上述划分出的区域以外的区域；

上述防反射膜没有设在上述金属性层的正上方区域。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

上述半导体基板由硅形成，上述金属性层由硅化物形成。

3.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

还具备元件分离膜，该元件分离膜形成在上述半导体基板的下表面的除了上述划分出的区域以外的区域；

上述金属性层配置在由上述元件分离膜划分的区域。

4.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

还具备电极膜，该电极膜设在上述半导体基板的上表面上的一部分区域、以及上述第1导电型层中形成的贯通孔的内面上，与上述多层布线层的布线连接。

5.如权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于，

上述贯通孔以包围上述一部分区域的方式形成有多个。

6.如权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于，

还具备其他金属性层，该其他金属性层设在上述多层布线层与上述半导体基板之间的包括上述贯通孔的正下方区域在内的区域；

上述电极膜经由上述其他金属性层与上述布线连接。

7.如权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于，

还具备盖膜，该盖膜设在上述半导体基板与上述滤色器之间，覆盖上述电极膜的配置在上述半导体基板的上表面上的部分中的一部分以及配置在上述贯通孔的内面上的部分，并覆盖上述半导体基板的上表面中的上述金属性层的正上方区域，不覆盖上述电极膜的配置在上述半导体基板的上表面上的部分中的剩余部分。

8.如权利要求7所述的固体摄像装置，其特征在于，

上述剩余部分是接合外部布线的电极焊盘。

9.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

从上方观察，上述杂质扩散区域的形状是栅格状。

10.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

还具备支撑基板，该支撑基板配置在上述多层布线层的下方。

11.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：

多层布线层；

半导体基板，设在上述多层布线层上，具有第1导电型层；

第2导电型的杂质扩散区域，将上述第1导电型层划分为多个区域；以及

电极膜，与上述多层布线层的布线连接；

在上述第1导电型层中形成有贯通孔，

上述电极膜配置在上述半导体基板的上表面上的一部分区域及上述贯通孔的内面上。

12.一种固体摄像装置的制造方法，其特征在于，包括：

在至少下部由半导体材料构成、且在上述下部设有第1导电型层的基板中，形成将上述第1导电型层划分为多个区域的第2导电型的杂质扩散区域的工序；

在上述基板的下表面的除了上述划分出的区域以外的区域，形成金属性层的工序；

在上述基板的下方形成多层布线层的工序；

将上述基板的上部除去，由此将上述基板的下部作为半导体基板的工序；

在上述半导体基板的上表面上的除了上述金属性层的正上方区域以外的区域的至少一部分，形成防反射膜的工序；以及

将上述金属性层作为校准标记，在上述防反射膜的上表面上，按照上述划分出的每个区域形成滤色器的工序。

13.如权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述滤色器的工序中，从上述半导体基板的上方，光学检测上述金属性层。

14.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，

通过从上述半导体基板的上方照射红外线，并接受其反射光，来进行上述金属性层的检测。