[发明专利]一种纳米Ti基蒙脱土Cu催化剂的制备方法及其在HC-SCR中的应用无效

专利信息
申请号: 201010279857.3 申请日: 2010-09-13
公开(公告)号: CN101947449A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 李新勇;陆光;曲振平;肇启东;石勇 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B01J23/72 分类号: B01J23/72;B01D53/86;B01D53/56
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 梅洪玉
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 ti 基蒙脱土 cu 催化剂 制备 方法 及其 hc scr 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种纳米Ti基蒙脱土Cu催化剂的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)制备柱化剂:在持续搅拌下,将Ti的前躯体加入到HCl溶液中,再加入去离子水中至总体积为100ml,搅拌并陈化得到稳定透明的柱化剂;

(2)制备蒙脱土悬浮液:将蒙脱土加入到500ml的去离子水中,在20-60℃搅拌,使蒙脱土充分膨胀;

(3)Ti基蒙脱土的制备:将步骤(1)溶液加入到步骤(2)悬浮液中,搅拌陈化后,过滤,用去离子水洗涤数次,然后在80-120℃温度下干燥6-24h、在300-700℃温度下煅烧3-8h后获得Ti基蒙脱土载体;

(4)催化剂的制备:将铜前驱体溶于去离子水中,加入步骤(3)制得的Ti基蒙脱土进行离子交换,经过滤离心、洗涤数次、干燥、煅烧获得Ti基蒙脱土Cu催化剂;Ti基蒙脱土的Cu催化剂的干燥温度为80-120℃,干燥时间为6-24h,煅烧温度为200-600℃,煅烧时间为3-8h。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中Ti和HCl的摩尔比为5-10。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中Ti和蒙脱土的质量比为5-30。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中铜的负载量为1-5wt%。

5.一种纳米Ti基蒙脱土Cu催化剂在HC-SCR中的应用,其特征在于:烃类还原剂与NO的体积比为1∶1,O2的含量为8-15vol.%,空速为25000-45000h-1,活性测试温度为150-350℃。

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