[发明专利]一种纳米Ti基蒙脱土Cu催化剂的制备方法及其在HC-SCR中的应用无效
申请号: | 201010279857.3 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN101947449A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 李新勇;陆光;曲振平;肇启东;石勇 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | B01J23/72 | 分类号: | B01J23/72;B01D53/86;B01D53/56 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 ti 基蒙脱土 cu 催化剂 制备 方法 及其 hc scr 中的 应用 | ||
1.一种纳米Ti基蒙脱土Cu催化剂的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)制备柱化剂:在持续搅拌下,将Ti的前躯体加入到HCl溶液中,再加入去离子水中至总体积为100ml,搅拌并陈化得到稳定透明的柱化剂;
(2)制备蒙脱土悬浮液:将蒙脱土加入到500ml的去离子水中,在20-60℃搅拌,使蒙脱土充分膨胀;
(3)Ti基蒙脱土的制备:将步骤(1)溶液加入到步骤(2)悬浮液中,搅拌陈化后,过滤,用去离子水洗涤数次,然后在80-120℃温度下干燥6-24h、在300-700℃温度下煅烧3-8h后获得Ti基蒙脱土载体;
(4)催化剂的制备:将铜前驱体溶于去离子水中,加入步骤(3)制得的Ti基蒙脱土进行离子交换,经过滤离心、洗涤数次、干燥、煅烧获得Ti基蒙脱土Cu催化剂;Ti基蒙脱土的Cu催化剂的干燥温度为80-120℃,干燥时间为6-24h,煅烧温度为200-600℃,煅烧时间为3-8h。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中Ti和HCl的摩尔比为5-10。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中Ti和蒙脱土的质量比为5-30。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中铜的负载量为1-5wt%。
5.一种纳米Ti基蒙脱土Cu催化剂在HC-SCR中的应用,其特征在于:烃类还原剂与NO的体积比为1∶1,O2的含量为8-15vol.%,空速为25000-45000h-1,活性测试温度为150-350℃。
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