[发明专利]低粗糙度的光波导器件的制造方法

权利要求书

1.一种低粗糙度的光波导器件的制造方法，用于在绝缘体上硅工艺中制作低粗糙度的光波导器件，所述绝缘体上硅依次包括衬底层、氧化掩埋层和顶层单晶硅，其特征是，所述制造方法包括以下步骤：

在所述顶层单晶硅上沉积硬质掩模层；

在所述硬质掩模层上涂覆光刻胶并曝光显影；

刻蚀未被光刻胶覆盖的部分硬质掩模层至曝露出部分顶层单晶硅的一定厚度；

去除残留光刻胶；

氧化暴露出的所述顶层单晶硅，在所述顶层单晶硅上形成氧化层；以及

湿法刻蚀掉所述氧化层至所述顶层单晶硅。

2.根据权利要求1所述的低粗糙度的光波导器件的制造方法，其特征是，在湿法刻蚀掉所述氧化层至所述顶层单晶硅之后，还包括以下步骤：

在所形成的结构中的一部分上涂覆光刻胶，以暴露出部分所述顶层单晶硅；

刻蚀暴露出的所述顶层单晶硅至所述氧化掩埋层；

去除光刻胶和所述硬质掩模层。

3.根据权利要求1所述的低粗糙度的光波导器件的制造方法，其特征是，其中所述沉积硬质掩模层的步骤包括：

在所述顶层单晶硅上沉积或者热氧化二氧化硅薄膜；以及

在所述二氧化硅薄膜上沉积氮化硅薄膜。

4.根据权利要求3所述的台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，其特征是，其中所述二氧化硅薄膜的厚度为10～50纳米。

5.根据权利要求3所述的台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，其特征是，其中所述氮化硅薄膜的厚度为80～500纳米。

6.根据权利要求1所述的台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片的制作方法，其特征是，其中，利用氢氟酸溶液去除所述氧化层及所述硬质掩膜层。