[发明专利]In-Band泵浦热敏感腔808nm触发自调Q激光器有效
| 申请号: | 201010278581.7 | 申请日: | 2010-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN101924325A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
| 发明(设计)人: | 丁欣;李斌;盛泉;李雪;史春鹏;殷苏喜;温午麒;周睿;姚建铨 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;H01S5/06;H01S5/068 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李素兰 |
| 地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | in band 泵浦热 敏感 808 nm 触发 自调 激光器 | ||
技术领域
本发明涉及一种激光技术领域所涉及的一种激光器,尤其涉及一种In-Band泵浦热敏感腔808nm触发自调Q激光器。
背景技术
LD泵浦调Q脉冲激光器在很多领域得到广泛的应用,尤其在材料加工、非线性频率变换、医疗、军事等方面都具有很好的应用前景。
对于目前来看激光的调Q技术主要分为以下几类:(1)声光调Q技术;(2)电光调Q技术;(3)被动调Q技术;(4)腔倒空技术,其中,前三种称为脉冲反射式调Q技术,腔倒空又称脉冲透射式调Q技术,上述几种调Q技术已经发展的很成熟了,对于声光调Q技术其重复频率已经达到MHz的数量级,而对于电光调Q的重复频率也已经达到kHz的量级。目前很多脉冲商用的激光器大都采用声光和电光调Q形式,对于被动调Q发展的也相对比较成熟,常用的饱和吸收体有Cr4+:YAG,V:YAG,半导体饱和吸收体;而腔倒空技术多用于实验室中,其电路部分较为复杂。上述几种调Q方式都需要在谐振腔内插入声光Q开关、电光Q开关和饱和吸收晶体等,这样会对激光产生损耗,降低了效率,增加了相应的成本,而在《光学谐振腔的图解分析与设计方法》(张光寅著,国防工业出版社出版)一书中提出了一种利用热敏感腔自调Q的理论,其原理是利用谐振腔的动力学因子1/ft随着泵浦脉冲做周期性的变化,这个变化将对谐振腔运行的动力状态产生影响。选择合适的腔参数使1/ft在“U”型曲线的边界处变化即可以引起腔损耗的大幅度周期变化,从而实现调Q的MW级巨脉冲输出,不过这种方法是利用激光器自身脉冲前后的热焦距变化进行调制的,因此此种效果得到的调制效果有限,脉冲稳定度不高,容易形成多脉冲现象。
发明内容
针对上述现有技术,本发明提供一种In-Band泵浦热敏感腔808nm触发自调Q激光器。本发明激光器是在激光谐振腔内不插入调制器件的情况下,利用In-band泵浦于普通泵浦方式相结合来对谐振腔的动力学因子1/ft进行强制的调制来得到稳定有序的、稳定的、高能量的、高光束质量的脉冲激光输出。
为了解决上述技术问题,本发明In-Band泵浦热敏感腔808nm触发自调Q激光器予以实现的技术方案是:该激光器的光路由依次设置的808nm泵浦源、传能光纤、耦合系统、激光器全反镜、激光增益介质晶体、激光折返镜、In-Band泵浦耦合系统(7)、In-Band泵浦光传能光纤和In-Band泵浦源及激光输出镜构成,其特征在于:由上述的激光器全反镜、激光增益介质晶体、激光折返镜和激光输出镜构成一热敏感腔,所述热敏感腔的热焦距为100mm到400mm之间时,激光器存在稳区,所述热敏感腔的热焦距大于400mm时,激光器存在非稳区。
本发明采用上述In-Band泵浦热敏感腔808nm触发自调Q激光器的脉冲输出方法,其过程如下:
步骤一:由In-Band泵浦源单独工作,该In-Band泵浦源发出的泵浦光经过传能光纤和In-Band泵浦耦合系统对激光增益介质晶体进行抽运,此时,激光增益介质晶体的热焦距大于400mm,使激光谐振腔处于非稳区内,激光不能产生振荡,激光增益介质晶体进行有效的储能;
步骤二:当储能时间达到上能级寿命时,所述808nm泵浦源开始工作,使激光增益介质晶体的热焦距迅速变小,当激光增益介质5的热焦距小于400mm时,整个谐振腔移入稳区内,激光迅速起振,产生MW级巨脉冲输出;
步骤三:脉冲结束后808nm泵浦源停止泵浦,谐振腔又落到非稳区内,激光停止振荡,In-Band泵浦源仍继续工作,为下一次脉冲提供泵浦能量,返回上述步骤二。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:实现在激光谐振腔内不插入调制器件的情况下即可得到稳定有序的、稳定的、高能量的、高光束质量的自调Q脉冲激光输出。
附图说明
图1是本发明In-Band泵浦热敏感腔808nm触发自调Q激光器的光路图;
图2是图1所示激光器的谐振腔稳区图;
图3是图1所示激光器热焦距与激光腔模半径的关系图;
图4是本发明880nm与808nm泵浦光的时间关系说明。
图中:1——808nm泵浦源 2——传能光纤 3——耦合系统
4——激光器全反镜 5——激光增益介质晶体 6——激光折返镜
7——In-Band泵浦耦合系统 8——In-Band泵浦光传能光纤
9——In-Band泵浦源 10——激光输出镜
具体实施方式
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