[发明专利]光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置的制造方法，该制造方法包括下述步骤：

在基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成包括纯半导体层的第一单元；

在所述第一单元上形成包括使非硅原料气体的流量改变而被交替层压的多个子层的中间反射膜；

在所述中间反射膜上形成包括纯半导体层的第二单元；以及

在所述第二单元上形成第二电极。

2.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：作为所述非硅原料气体使用氧原料气体、碳原料气体或氮原料气体。

3.如权利要求2所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述氧原料气体包括氧或二氧化碳，

所述碳原料气体包括CH₄、C₂H₄或C₂H₂，

所述氮原料气体包括NH₄、N₂O或NO。

4.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：在所述第一单元或所述第二单元中，形成光入射侧单元的包括氢化n型纳米晶硅的n型半导体层之后，为了形成所述n型半导体层，在保持流入到反应腔室的原料气体的流量、基板温度和工序压力等的状态下，将用来形成所述中间反射膜的所述非硅原料气体流入到所述反应腔室内。

5.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述非硅原料气体的流量随着沉积时间反复在第一流量值和第二流量值之间的变化。

6.如权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述中间反射膜时，氢流量和硅烷流量随着沉积时间的变化保持恒定。

7.如权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：在所述第一流量值和所述第二流量值之间发生变化的一个周期内，所述第一流量值所保持的时间和所述第二流量值所保持的时间随着沉积时间的变化保持恒定。

8.如权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述中间反射膜时，氢流量和硅烷流量随着沉积时间的变化保持恒定，所述第一流量值和所述第二流量值随着沉积时间的变化保持恒定。

9.如权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第一流量值和所述第二流量值随着沉积时间增加或减少。

10.如权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第一流量值和所述第二流量值随着沉积时间的变化保持恒定，

在所述第一流量值和所述第二流量值发生变化的一个周期内，所述第一流量值所保持的时间和所述第二流量值所保持的时间随着沉积时间的变化增加或减少。

11.如权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第一流量值和所述第二流量值随着沉积时间的变化增加或减少，

在所述第一流量值和所述第二流量值发生变化的一个周期内，所述第一流量值所保持的时间和所述第二流量值所保持的时间随着沉积时间的变化增加或减少。

12.如权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第二流量值为0。

13.如权利要求5、6、或8～12中任一项所述的光电装置的制造方法，其特征在于：在所述第一流量值和所述第二流量值发生变化的一个周期内，所述第一流量值所保持的时间与所述第二流量值所保持的时间之比恒定。

14.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述中间反射膜通过等离子体化学气相沉积法来形成。

15.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：

所述中间反射膜通过等离子体化学气相沉积法来形成，

在所述等离子体化学气相沉积法中，通过电源而被供给并激励等离子体的电压频率为13.56MHz以上。

16.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第一单元和所述第二单元中，光入射侧单元包括p型半导体层和纯半导体层，

所述中间反射膜通过与所述光入射侧单元的纯半导体层相接触而形成。

17.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：按照越远离光入射侧被包括于各子层的非硅元素浓度越高的方式形成所述中间反射膜。