[发明专利]一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法无效
| 申请号： | 201010278052.7 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102400210A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 戴小林;吴志强;邓树军;崔彬;姜舰;王雅楠;肖清华;张果虎;周旗钢;屠海令 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直拉硅单晶棒内 缺陷 调节 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，其特征在于：它是通过调节位于直拉单晶炉炉室内热场上保温筒座上设置的保温圆桶的数量、每层的厚度、圆桶的壁厚或它们的组合，从而调整晶体生长界面的形状、界面的温度梯度以及晶体生长速度的方法，达到调节直拉硅单晶棒内缺陷。
2.根据权利要求1所述的一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，其特征在于：所述的上保温筒座上开有多个环形槽，保温圆桶插在环形槽内，保温圆桶的数量为1个或1个以上。
3.根据权利要求1或2所述的一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，其特征在于：所述的环形槽的横断面形状为方形或U型。
4.根据权利要求3所述的一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，其特征在于：所述环形槽的横断面的宽度W、深度H、圆角R分别为1.5-200毫米、1.5-50毫米、1-50毫米。
5.根据权利要求4所述的一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，其特征在于：所述的保温圆桶的壁厚为1.4-200毫米。
6.根据权利要求1所述的一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，其特征在于：所述的保温圆桶的材质为钼、石墨、碳-碳复合材料、固化碳毡、石墨软毡或它们的组合。
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