[发明专利]光伏涂锡镶银高导焊带的生产方法无效
申请号: | 201010277590.4 | 申请日: | 2010-09-09 |
公开(公告)号: | CN102403394A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 孙来保;郁从兵 | 申请(专利权)人: | 安徽永杰铜业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 242400 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光伏涂锡镶银高导焊带 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种焊带的生产方法,具体涉及的是一种应用于太阳能发电的光伏组件连接用的光伏涂锡镶银高导焊带。
背景技术
焊带是光伏组件的主要辅料之一,在太阳能电池板上起着连接硅片换个导电的作用,其内在的导电性、可焊性和伸长率对光伏组件的质量起着至关重要的作用。
自太阳能发电批量化生产以来,电池片(PV)的连接带一直采取铜基带表面涂锡的方式,但随着光伏技术的不断发展,硅片的各项参数较之前有很大改进,尤其是提高单位面积的硅片功率,目前硅片的厚度越来越薄,对焊带的要求和选择也越来越高,并且由于铜材本身材料上的局限性及光伏电池对高导电性能的要求,完全以铜为基材的光伏涂锡焊带的导电性已不能满足光伏组件的要求。
发明内容
针对现有技术上存在的不足,本发明目的是在于提供一种生产成本低、可焊性强和导电性能高的光伏涂锡镶银高导焊带的制作方法,满足光伏电池片对焊带高导电性能的要求。
为了实现上述目的,本发明是技术方案来是:光伏镶银高导焊带的生产方法,其特征在于,其方法为:带有铜带的铜基材放线轴、带有银带的上银带放线轴及下银带放线轴同速度放线,将上银带放线轴放出的上银带和下银带放线轴放出下银带分别设置在铜带的上下面上,然后经过助焊剂浸湿后,通过挤压设备被压轧为一体,并送入锡炉进行整体热浸镀锡,镀锡后经收线辊进行收线操作,继而制作成光伏涂锡镶银高导焊带成品。
进一步的,上述铜带的宽度为0.5~6.0mm,厚度0.05~0.30mm;所述上、下银带的宽度为0.15~3.00mm,厚度0.02~0.10mm。
进一步的,上述光伏涂锡镶银高导焊带的宽度为0.5~6.0mm,厚度为0.10~0.35mm。
进一步的,上述挤压设备包括全程无级变速可调的上压辊和与其适配的下压辊,所述铜带以及设置在铜带上下面的上银带和下银带通过上压辊和下压辊压轧为一体。
进一步的,上述上压辊与收线辊为同步转速,避免压轧后基带发生变形。
进一步的,上述下压辊与上压辊之间距离为0~0.5mm,其高精度可调,以保证轧合精度。
本发明将两种不同的材料即铜带和银带轧合成一根焊带,同时热浸镀锡,其利用银(1.65×10-8Ωm)的导电性比铜(1.75×10-8Ωm)好的特点,在不影响电池片和焊带其它技术参数的前提下,大幅度提高了产品的导电性能,本发明具有生产成本低、控制容易、生产一致性好并可以满足批量生产要求的优点,同时生产的产品满足了光伏电池片对焊带高导电性能的要求。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明;
图1为本发明的生产工艺示意图;
图2为本发明生产的光伏涂锡镶银高导焊带成品的剖视图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
参见图1,本发明光伏镶银高导焊带的生产方法,其方法为:将安装在机架12上的铜基材放线轴1、上银带放线轴2及下银带放线轴3同速度放线,该铜基材放线轴1上收卷有宽度为0.5~6.0mm,厚度0.05~0.30mm的铜带11,在上银带放线轴3和下银带放线轴2分别收卷有宽度为0.15~3.00mm,厚度0.02~0.10mm的上银带31和下银带21;其中,将上银带放线轴3放出的上银带31和下银带放线轴2放出的下银带21分别设置在铜带11的上下面上,经过助焊剂浸湿后,将三根带线在上压辊5和下压辊4的同时作用下被压轧为一体,并进入锡炉6进行整体热浸镀锡。
在经过锡炉6后的基带冷却后,在铜带11、上银带31和下银带21的表面形成一层镀锡层10,再经安装锡炉6出口处的撑辊8后同时在机架12上的收线辊7的带动作用下,将镀锡后基带收卷到收线辊7上,即成光伏涂锡镶银高导焊带成品(参见图2),从而完成整个生产过程。
此生产过程中,上压辊5和下压辊4均固定在机架12上,铜基材放线轴1、上银带放线轴2及下银放线轴为在上压辊5带动下被动放线,上压辊5为全程无级变速可调并和收线辊7保持同步转速。下压辊4为被动旋转,并与上压辊5之间距离保持微距离为0-0.5mm,其高精度可调,以保证轧合精度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的