[发明专利]选择性发射极太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一单晶硅片，对单晶硅片表面织构化形成绒面结构；

通过第一丝网印刷网版对上述硅片印刷扩散渗透膜；所述第一丝网印刷网版所印刷的扩散渗透膜遮挡住非电极区，裸露待印刷电极区域，硅片在有渗透膜的非电极受光区域形成轻扩散层，而在没有渗透膜的待印刷电极区域形成重扩散层；将硅片进行等离子刻蚀去除周边的PN结，再进行酸洗去除硅片表面的磷硅玻璃和扩散渗透膜；

采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层；

通过背面电极网版、背面电场网版对上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料，通过第二丝网印刷网版在正面印刷细栅电极和主栅电极浆料后进行烧结，所述第二丝网印刷网版和第一丝网印刷网版图形设计相反；

烧结后背电极浆料和背电场浆料形成太阳能电池的背面Ag电极和铝背场，而正面电极浆料则穿过钝化及减反射层与扩散层接触，形成具有良好欧姆接触的太阳能电池的正面Ag电极。

2.如权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对单晶硅片表面织构化形成绒面结构包括如下步骤：对单晶硅片进行预清洗，预清洗采用超声波，并添加一定的清洗去污剂；之后将单晶硅片置于温度为75-80℃，质量百分比浓度为1%－2%的氢氧化钠溶液中进行表面织构化工艺，并添加适量制绒催化剂，以在100晶向的硅片表面形成均匀一致的大小在1-3um的“金字塔”状绒面结构，使表面具有良好的陷光效果。

3.如权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述轻扩散层方块电阻在60-80 ohm/□，所述重扩散层方块电阻在10-20 ohm/□。

4.如权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述再进行酸洗去除硅片表面的磷硅玻璃和扩散渗透膜包括如下步骤：将扩散后的硅片置于体积百分比为10%左右的氢氟酸溶液中，清洗3-5分钟将硅片四周的扩散掩蔽膜和扩散时在硅片表面形成的磷硅玻璃去除干净。

5.如权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述钝化及减反射层的厚度为80～85nm，折射率控制为2.05～2.1。

6.如权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述烧结包括如下步骤：先在200℃～300℃的温度下烘干，然后在500℃～800℃的气氛下进行烧结。