[发明专利]双极CMOS工艺中的有源区边墙及制造方法

权利要求书

1.一种双极CMOS工艺中的有源区边墙，其特征在于：有源区边墙形成于有源区的表面和周围各侧面上并实现对所述有源区的包覆，所述有源区边墙的材料为抗反射材料，所述有源区边墙的厚度满足在后续工艺中对所述有源区周侧的沟槽内进行离子注入时能够阻挡离子注入到所述有源区中。

2.如权利要求1所述的双极CMOS工艺中的有源区边墙，其特征在于：所述抗反射材料为能够降低光刻曝光时波长为436nm、365nm、248nm、和193nm的光源的光反射率的材料。

3.如权利要求2所述的双极CMOS工艺中的有源区边墙，其特征在于：所述抗反射材料的类型包括有机抗反射材料、无机抗反射材料、或有机抗反射材料和无机抗反射材料的组合。

4.如权利要求3所述的双极CMOS工艺中的有源区边墙，其特征在于：所述抗反射材料的类型要满足和后续的光刻胶相匹配以及满足能够作为后续工艺中对所述有源区周侧的沟槽内进行离子注入时的阻挡物的要求。

5.如权利要求4所述的双极CMOS工艺中的有源区边墙，其特征在于：所述光刻胶为正性光刻胶、或负性光刻胶。

6.一种双极CMOS工艺中的有源区边墙的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅衬底上进行场氧区的沟槽刻蚀形成有源区；

步骤二、在所述硅衬底上进行抗反射材料生长；所述抗反射材料的厚度根据后续形成的有源区边墙的厚度和宽度进行选择；

步骤三、使用各向异性的干法刻蚀方法回刻所述抗反射材料形成所述有源区边墙；所述有源区边墙的厚度满足在后续工艺中对所述有源区周侧的沟槽内进行离子注入时能够阻挡离子注入到所述有源区中。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述抗反射材料为有机抗反射材料，步骤二中采用旋涂、烘烤的工艺在所述硅衬底上形成所述有机抗反射材料。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述抗反射材料为无机抗反射材料，步骤二中采用淀积的工艺在所述硅衬底上形成所述无机抗反射材料。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤二中所述抗反射材料的厚度为500埃～10000埃。

10.如权利要求6所述的双极CMOS工艺中的有源区边墙，其特征在于：步骤二中所述抗反射材料为能够降低光刻曝光时波长为436nm、365nm、248nm、和193nm的光源的光反射率的材料。