[发明专利]复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法

权利要求书

1.一种复合相变存储材料，其特征在于：所述复合相变存储材料由氮化物和相变材料复合而成，该复合相变存储材料能够在外部的能量作用下实现可逆的相变和可逆的电阻值转换；

在所述复合相变存储材料内，氮化物和相变材料互相分散，使材料内存在两个以上的相。

2.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述存储材料由一种以上氮化物和至少一种相变材料复合而成。

3.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述复合相变存储材料具有非晶和多晶结构。

4.根据权利要求1或2或3所述的复合相变存储材料，其特征在于：

无论在具有多晶还是非晶结构的存储材料内，所述复合相变存储材料含有至少两个分立的相。

5.根据权利要求4所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述至少两个分立的相中，至少一相是氮化物占主体。

6.根据权利要求4所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述至少两个分立的相中，至少一相是相变材料占主体。

7.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

在该存储材料内，氮化物和相变材料互相分散，而又不互溶。

8.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述复合相变存储材料在外部能量的作用下实现晶体结构的变化。

9.根据权利要求1或8所述的复合相变存储材料，其特征在于：

相变过程中全部或者部分的相变材料发生相变，而氮化物占主体部分的成分、结构和形状保持不变。

10.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述复合相变存储材料在外部能量的作用下实现电阻率的变化或光学反射率的变化。

11.根据权利要求8或10所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述外部能量为电信号、激光信号或者是粒子束能量。

12.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述氮化物分散相变材料，限制相变材料晶粒的大小。

13.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述氮化物分散相变材料，提升复合相变存储材料的加热效率。

14.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述氮化物分散相变材料，提高复合相变存储材料的保温效果和热量使用效率。

15.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述氮化物分散相变材料，阻止复合相变存储材料氧化和向器件周围的扩散。

16.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述氮化物为：氮化硅、氮化锗、氮化铝、氮化钛、氮化钽、氮化钒、氮化硼、氮化镓中的一种或者多种的混合物。

17.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

相变材料为：银铟锑碲、铟锑碲、锗锑碲、硅锑碲、锑碲、锗碲、锗锑、硅锑、锑中的一种或者多种。

18.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

氮化物在复合相变存储材料中的摩尔百分比含量在千分之三到百分之二十二之间。

19.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

该氮化物复合相变存储材料用于相变存储器的应用，在电脉冲的作用下，材料的电阻率能够在高、低阻之间可逆转变。

20.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

该氮化物复合相变存储材料用于光存储的应用，在激光脉冲的作用下，材料的光学反射率能够在高、低值之间可逆变化。

21.根据权利要求1所述的复合相变存储材料，其特征在于：

所述至少两个相中，包括至少一个氮化物占主体的相以及至少一个相变材料占主体的相。

22.一种制备复合相变存储材料薄膜的方法，其特征是采用至少一个氮化物源和其他材料的源共同沉积得到复合相变存储材料。