[发明专利]源极端感测的渗入电流系统

权利要求书

1.一种存储装置，包含：

一存储阵列，可自该存储阵列中的一选取存储单元提供一读取电流至一资料线；

一参考电流源，可提供一参考电流；

一与该资料线耦接的渗入电流源，该渗入电流源可响应该参考电流的大小而自该资料线导入一渗入电流；以及

一感测放大电路，其包含一耦接至该资料线的感测节点，且该感测放大电路响应于该读取电流与该渗入电流之间的差值，而产生一用来指示储存于该被选取存储单元中的资料值的输出信号。

2.如权利要求1所述的存储装置，其中该感测放大电路包含一参考节点，该感测放大电路响应于该参考节点的电流或电压与该感测节点的电流或电压之间的一差值，而产生该输出信号。

3.如权利要求2所述的存储装置，还包含电路用来设定该参考节点的一参考电压，该参考电压与该参考电流的大小无关。

4.如权利要求3所述的储存装置，其中该用来设定该参考节点上的该参考电压的电路包含一运算放大器，该运算放大器具有一第一输入与该参考电压耦接且具有一第二输入与该参考节点耦接。

5.如权利要求1所述的存储装置，其中该参考电流源包含一参考单元。

6.如权利要求1所述的存储装置，其中该渗入电流源包括一电流镜，其与该资料线及该参考电流源耦接，该电流镜接收该参考电流，且响应于所接收的该参考电流大小而自该资料线导入该渗入电流。

7.如权利要求6所述的存储装置，其中该电流镜包含：

一第一晶体管，与该参考电流源耦接，且安排为以接收该参考电流；以及

一第二晶体管，与该资料线及该第一晶体管耦接，该第二晶体管能响应于该第一晶体管所接收的该参考电流大小而自该资料线导入该渗入电流。

8.如权利要求7所述的存储装置，其中各该第一晶体管及第二晶体管包含一控制端及第一和第二导通端，该第一晶体管的该控制端与该第二晶体管的该控制端耦接，该第一晶体管的该第一导通端与该参考电流源耦接，且该第二晶体管的该第一导通端与该资料线耦接。

9.如权利要求8所述的存储装置，其中该第一晶体管及第二晶体管的所述控制端与一偏压电压耦接。

10.如权利要求8所述的存储装置，其中该第一晶体管的该第一导通端与该第一晶体管及第二晶体管的所述控制端耦接。

11.如权利要求8所述的存储装置，其中该第一晶体管的该第二导通端与该第二晶体管的该第二导通端耦接。

12.如权利要求8所述的存储装置，还包含第三晶体管及第四晶体管，各包含一控制端及第一和第二导通端，该第三晶体管的该控制端与该第四晶体管的该控制端耦接，该第三晶体管的该第一导通端与该第一晶体管的该第二导通端耦接，且该第四晶体管的该第一导通端与该第二晶体管的该第二导通端耦接。

13.如权利要求12所述的存储装置，其中：

该第一晶体管及第二晶体管的所述控制端与该第一晶体管的该第一导通端耦接；以及

该第三晶体管及第四晶体管的所述控制端与该第三晶体管的该第一导通端耦接。

14.如权利要求12所述的存储装置，其中：

该第一晶体管及第二晶体管的所述控制端与一参考电压耦接；以及

该第三晶体管及第四晶体管的所述控制端与该第一晶体管的该第一导通端耦接。

15.一种感测一存储单元的方法，该方法包含：

施加一偏压至该存储单元以自该存储单元诱发一读取电流；

自一参考电流源提供一参考电流；

响应该参考电流的大小而自该读取电流导入一渗入电流；

提供该读取电流与该渗入电流之间的一差值至一感测节点；以及

根据该差值决定储存于该存储单元中的一资料值。

16.如权利要求15所述的感测一存储单元的方法，还包含：

一根据该读取电流与该渗入电流之间的该差值而设定该感测节点上电压的步骤，以及一偏压一参考节点至一参考电压的步骤，且其中该决定储存于该存储单元中的该资料值的步骤包含一根据该感测节点的该电压与该参考节点的该参考电压的一差值来决定所储存的该资料值的步骤。