[发明专利]一种碳纳米管-聚氨酯复合调光薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201010274711.X | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN101968593A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 孟凡成;李清文;陈名海 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153;G02F1/15;C08L75/04 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 聚氨酯 复合 调光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳纳米管-聚氨酯复合调光薄膜,其特征在于:所述复合调光薄膜包括两层玻璃、塑料或橡胶中一种材质的透明基体介质,以及夹设于透明基体介质之间相复合的碳纳米管薄膜和形状记忆聚氨酯,并且所述碳纳米管薄膜两端直接与金属电极相连。
2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管-聚氨酯复合调光薄膜,其特征在于:所述碳纳米管薄膜为单壁碳纳米管、多壁碳纳米管或两种碳纳米管混合制成的薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种碳纳米管-聚氨酯复合调光薄膜,其特征在于:所述各种碳纳米管的管壁上可功能化修饰有羧基或氨基。
4.根据权利要求1所述的一种碳纳米管-聚氨酯复合调光薄膜,其特征在于:所述形状记忆聚氨酯具有在碳纳米管薄膜通电前后所能达到的温度范围之内的相转变温度,并在碳纳米管薄膜达到所述相转变温度前后,所述形状记忆聚氨酯呈现非透明状态和全透明状态的可逆转变。
5.根据权利要求4所述的一种碳纳米管-聚氨酯复合调光薄膜,其特征在于:该形状记忆聚氨酯对应不同的组分结构,其相转变温度在20~300℃之间可调。
6.根据权利要求1所述的一种碳纳米管-聚氨酯复合调光薄膜,其特征在于:所述碳纳米管薄膜两端的金属电极为片状电极或丝网状电极,选材上至少包括铝或铜。
7.权利要求1所述复合调光薄膜的制备方法,其特征在于包括步骤:
Ⅰ、选取并洁静处理一作为衬底的透明基底介质;
Ⅱ、在步骤Ⅰ中所述的透明基底介质上覆盖一层形状记忆聚氨酯,并加热使聚氨酯具有一定粘性;
Ⅲ、制备碳纳米管薄膜,并将其覆盖于聚氨酯表面;
Ⅳ、在所述碳纳米管薄膜两端直接连接金属电极,并覆盖相对衬底的另一透明基底介质;
Ⅴ、通过机械加压或热缩聚的方式固定该复合调光薄膜的层状结构。
8.根据权利要求7所述复合调光薄膜的制备方法,其特征在于:在不影响所述透明基底介质透光性的前提下,步骤Ⅱ之前在透明基底介质覆盖形状记忆聚氨酯的另一侧表面进一步还涂覆自清洁层和光学减反射层,其中所述自清洁层至少为TiO2,而所述光学减反射层至少为ZnS、CrO2。
9.根据权利要求7所述复合调光薄膜的制备方法,其特征在于:步骤Ⅱ中所述在透明基底介质上覆盖形状记忆聚氨酯制成薄膜的方法至少包括湿法的溶液挥发法、旋涂法或喷涂法以及干法的热压法,所述形状记忆聚氨酯的膜厚介于1μm~5mm。
10.根据权利要求9所述复合调光薄膜的制备方法,其特征在于:所述湿法覆盖制程中,用于溶解形状记忆聚氨酯的溶剂采用至少包括N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺中的一种。
11.根据权利要求7所述复合调光薄膜的制备方法,其特征在于:步骤Ⅲ中所述碳纳米管薄膜的制备方法包括直接生长法、粉末成膜法、碾压法或固相拉膜法得到。
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