[发明专利]显示装置以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法。本发明尤其涉及一种具有如下电路的半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法，该电路使用将具有透光性的半导体膜用于沟道形成区的薄膜晶体管构成。本发明尤其涉及一种具有如下电路的半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法，该电路使用将氧化物半导体膜用于沟道形成区的薄膜晶体管构成。 

背景技术

作为以液晶显示装置为代表的显示装置的开关元件，广泛地使用将非晶硅等的硅层用作沟道层的薄膜晶体管(TFT)。虽然使用非晶硅的薄膜晶体管的场效应迁移率低，但是使用非晶硅的薄膜晶体管具有可以对应于玻璃衬底的大面积化的优点。 

另外，近年来，通过使用显现半导体特性的金属氧化物制造薄膜晶体管，并将该薄膜晶体管应用于电子装置或光装置的技术受到注目。例如，已知金属氧化物中的氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等显现半导体特性。将由这种金属氧化物构成的透光半导体层用于沟道形成区的薄膜晶体管已被公开(例如，参照专利文献1)。 

另外，正在研究如下技术：使用具有透光性的氧化物半导体层形成晶体管的沟道层，并且还使用具有透光性的透明导电膜形成栅电极、源电极、漏电极，以提高开口率(例如，参照专利文献2)。 

通过提高开口率，光利用效率得到提高，而可以实现显示装置的省电化及小型化。另一方面，从显示装置的大型化、对便携式设备的应用的观点而言，要求开口率的提高和进一步的耗电量的减少。 

另外，作为对电光元件的透明电极的金属辅助布线，已知如下布 线，即在透明电极上或在透明电极下以使金属辅助布线与透明电极重叠的方式设置来实现与透明电极的导通的布线(例如，参照专利文献3)。 

另外，已知如下结构：使用ITO、SnO₂等的透明导电膜形成设置在有源矩阵衬底上的附加电容电极，并且接触于附加电容电极地设置由金属膜构成的辅助布线，以降低附加电容电极的电阻(例如，参照专利文献4)。 

另外，在使用非晶氧化物半导体膜的场效应晶体管中，作为形成栅电极、源电极及漏电极的各电极的材料，可以使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌、ZnO、SnO₂等的透明电极、Al、Ag、Cr、Ni、Mo、Au、Ti、Ta等的金属电极或包括它们的合金的金属电极等。已知层叠两个以上的由上述材料构成的膜来降低接触电阻或者提高界面强度的技术(例如，参照专利文献5)。 

另外，作为使用非晶氧化物半导体的晶体管的源电极、漏电极、栅电极、辅助电容电极的材料，可以使用铟(In)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)等的金属、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氧化铟镉(CdIn₂O₄)、氧化镉锡(Cd₂SnO₄)、氧化锌锡(Zn₂SnO₄)等的氧化物材料。另外，已知作为栅电极、源电极和漏电极的材料既可以相同又可以不同(例如，参照专利文献6和7)。 

另一方面，为了减少耗电量，探讨了在像素内配置有存储器的显示装置(例如，参照专利文献8、9)。另外，在专利文献8、9的显示装置中使用光反射型像素电极。 

[专利文献1]日本专利申请公开2004-103957号公报 

[专利文献2]日本专利申请公开2007-81362号公报 

[专利文献3]日本专利申请公开平2-82221号公报 

[专利文献4]日本专利申请公开平2-310536号公报 

[专利文献5]日本专利申请公开2008-243928号公报 

[专利文献6]日本专利申请公开2007-109918号公报 

[专利文献7]日本专利申请公开2007-115807号公报 

[专利文献8]日本专利申请公开2001-264814号公报 

[专利文献7]日本专利申请公开2003-076343号公报 

发明内容

本发明的一个方式的课题之一是提供一种涉及具备存储器的像素的技术。或者，本发明的一个方式的另一课题是提高像素的开口率。 

注意，多个课题的记载不妨碍其它课题的存在。另外，本发明的一个方式不必解决上述所有课题。