[发明专利]一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法有效
申请号: | 201010273166.2 | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN101969089A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 潘群峰;吴志强;黄少华 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人: | 徐东峰 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 电流 阻挡 氮化 发光二极管 制作方法 | ||
1. 一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法,其特征在于包括如下工艺步骤:
1) 在蓝宝石衬底上形成氮化镓基发光外延层,自下而上依次由n型氮化镓基外延层、有源层、p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层组成;
2) 在氮化镓基发光外延层之上定义电流阻止区,并在电流阻止区的非掺杂氮化镓基外延层之上镀一金属层作为掩膜以覆盖整个电流阻止区;
3) 采用电化学蚀刻方式将电流阻止区之外的非掺杂氮化镓基外延层去除;
4) 去除掩膜金属层;
5) 在p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层之上制作透明导电层;
6) 在电流阻止区范围内的透明导电层之上制作p电极。
2. 如权利要求1所述的一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法,其特征在于蚀刻去除部分区域的p型氮化镓基外延层和有源层,暴露出n型氮化镓基外延层并且在其上制作n电极。
3. 如权利要求1所述的一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法,其特征在于金属层材料选自Ti、Ni、Pt、Au、Cr或前述的任何组合之一。
4. 如权利要求1所述的一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法,其特征在于电化学蚀刻可以在紫外光照射条件下或者加温的条件下进行。
5. 如权利要求1所述的一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法其特征在于电化学蚀刻溶液呈碱性。
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