[发明专利]DAC校准电路及校准方法有效
申请号: | 201010272669.8 | 申请日: | 2010-09-03 |
公开(公告)号: | CN101951262A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 朱循宇 | 申请(专利权)人: | 英特格灵芯片(天津)有限公司 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 300457 天津市开发区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dac 校准 电路 方法 | ||
1.一种DAC校准电路,其中,该DAC校准电路包括MSB单元和LSB单元,其特征在于,包括第一开关、第二开关、第一比较器、第二比较器、电容和校准电路;
该第一开关连接于所述LSB单元与电容之间,以便其基于第一信号的控制而使该LSB单元对该电容进行充电;该第二开关连接于所述MSB单元与电容之间,以便其基于第二信号的控制而使该MSB单元对该电容进行充电;
该第一比较器同相端连接至该MSB单元、LSB单元、电容之间的连接点,其反相端为第一固定电压(V1),其输出端连接至所述校准模块;该第二比较器同相端与该第一比较器同相端相连,其反相端为第二固定电压(V2),其输出端连接至所述校准模块;
该校准模块接收该第一比较器、第二比较器的比较结果,并基于该比较结果实时调整MSB单元和/或LSB单元电流,以便MSB单元电流与LSB单元电流相匹配。
2.如权利要求1所述的DAC校准电路,其特征在于,由所述第二信号控制第二开关闭合t 2时间,使得V1<Vn<V2,其中,Vn为所述电容充电电压,V1为第一固定电压,V2为第二固定电压;以及
由所述第一信号控制第一开关闭合t1时间,然后所述校准模块根据该第一比较器输出电平的高低及该第二比较器输出电平的高低,调整MSB单元电流大小;其中,t2=2b·t1。
3.如权利要求2所述的一种DAC校准电路,其特征在于,所述校准模块在第一比较器输出为高电平且第二比较器输出为高电平时,减小所述MSB单元电流;并且该校准模块在第一比较器输出为低电平且第二比较器输出为低电平时,增大所述MSB单元电流;直到该第一比较器输出为高电平且该第二比较器输出为低电平,该校准模块校准结束。
4.如权利要求3所述的一种DAC校准电路,其特征在于,校准结束后该MSB单元电流与该LSB单元电流之间关系为,
其中,IMSB为MSB单元电流,ILSB为LSB单元电流,2b是LSB块中LSB单元数量,ΔV为所述第一固定电压(V1)与第二固定电压(V2)之差,C为电容值。
5.如权利要求4所述的一种DAC校准电路,其特征在于,设置所述ΔV足够小,从而使该DAC校正电路具有高校准精度。
6.如权利要求1所述的一种DAC校准电路,其特征在于,包括第一时钟和第二时钟,该第一时钟用于产生所述第一信号,该第二时钟用于产生所述第二信号,且该第一时钟、第二时钟均为高精度时钟。
7.如权利要求1所述的一种DAC校准电路,其特征在于,包括时钟,该时钟用于产生所述第一信号、第二信号,且该时钟为高精度时钟。
8.如权利要求1所述的一种DAC校准电路,其特征在于,所述开关为小面积开关,所述电容为大电容值电容。
9.一种使DAC电路中MSB单元电流与LSB单元电流匹配的校准方法,其中,该DAC电路包括电容和校准电路,其特征在于,包括:
首先,第二信号控制所述LSB单元对所述电容进行充电,经过t2时间,使该电容两端电压(Vn)满足V1<Vn<V2,其中,V1为第一固定电压,V2为第二固定电压;
然后,第一信号控制所述MSB单元对所述电容进行充电,经过t1时间,所述校准模块依据该电容两端电压(Vn)与所述第一固定电压(V1)之间大小关系,以及依据该电容两端电压(Vn)与所述第二固定电压(V1)之间大小关系,调整该MSB单元电流和/或LSB电流,以便使MSB单元与LSB单元电流匹配;其中,t2=2b·t1。
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