[发明专利]一种建立MOSFET模型的方法

权利要求书

1.一种建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤1、以所述MOSFET的栅极长度和栅极宽度为坐标轴建立坐标系，并在所述坐标系的整个器件尺寸阵列中提取全局模型；

步骤2、将所述步骤1所提取的全局模型中的参数Dvt0、Dvt1、Dvt2、nlx、prwg、prwb、k3、k3b、w0、dwg、dwb、b0、b1、l1、lw、lw1、ww、w1、ww1都设置为0；

步骤3、以所述步骤2所提取的全局模型为基础，提取所述器件尺寸阵列中所有MOSFET器件的单模型；

步骤4、提取分块模型。

2.根据权利要求1所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述步骤1包括：

A、提供一初始全局模型；

B、提取大尺寸器件相关参数；

C、提取宽且短沟道器件相关参数；

D、提取长且窄沟道器件相关参数；

E、提取小尺寸器件相关参数。

3.根据权利要求2所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述步骤C和步骤D互换顺序。

4.根据权利要求2或3所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述初始全局模型为BSIM3模型或由模型提取软件自动提取的全局模型。

5.根据权利要求2或3所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述大尺寸器件相关参数包括：Vth0、U0、Ua、Ub、Uc、K1、a0、ags、keta。

6.根据权利要求2或3所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述宽且短沟道器件相关参数包括：Dvt0、Dvt1、Dvt2、n1x、lint、rdsw、prwg、prwb、eta0、etab、pclm、pvag、vsat。

7.根据权利要求2或3所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述长且窄沟道器件相关参数包括：k3、k3b、w0、wint、dwg、dwb、b0、b1。

8.根据权利要求2或3所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述小尺寸器件相关参数包括：l1、lw、lw1、ww、w1、ww1。

9.根据权利要求1或2或3所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述步骤3包括调节所述全局模型中的相关参数，使得所述全局模型的拟合曲线与各个MOSFET器件的测试曲线相吻合；其中所述相关参数包括Vth0和ags。

10.根据权利要求9所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述相关参数还包括U0、Ua、Ub、Uc、k1、a0、keta。

11.根据权利要求9所述的建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述步骤4包括对所述整个器件尺寸阵列分块，然后建立各个所述方块的子模型，最后生成所述分块模型。