[发明专利]从被切断物剥离除去切割表面保护胶带的方法无效
申请号: | 201010271996.1 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN102005364A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 杉村敏正;西尾昭德;木内一之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/78 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切断 剥离 除去 切割 表面 保护 胶带 方法 | ||
1.一种从被切断物剥离除去切割表面保护胶带的方法,其特征在于,在被切断物的一个面上粘贴利用刺激显现出易剥离性的切割表面保护用胶带而成为复合体后,以该切割表面保护用胶带侧为上面的方式定位该复合体,从该切割表面保护用胶带侧切断被切断物,之后,依次进行A~C的工序,或依次进行B、A、C,或者在B之后同时进行A工序和C工序,其中A.对该切割表面保护用胶带施加刺激从而呈现易剥离性的工序,B.使该复合体倾斜至翻转为止的任意角度的工序,C.从该复合体仅剥离除去被切断的该切割表面保护用胶带的工序。
2.一种从被切断物剥离除去切割表面保护胶带的方法,其特征在于,在被切断物的一个面上粘贴利用刺激显现出易剥离性的切割表面保护用胶带而成为复合体后,以该切割表面保护用胶带侧为下面的方式定位该复合体,从该切割表面保护用胶带侧切断被切断物,之后,依次进行A和C工序,或者同时进行A和C工序,其中A.对该切割表面保护用胶带施加刺激从而呈现易剥离性的工序,C.从该复合体仅剥离除去被切断的该切割表面保护用胶带的工序。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,通过机械手、设置于复合体保持装置的转轴、或片状物的翻转装置进行B工序。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的方法,其中,使切割表面保护用胶带显现出易剥离性的刺激是热、紫外线、或电磁波。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,由热引起的刺激是与加热后的气体、液体、固体的热媒介物接触和照射红外线中的任意一个以上的手段所引起的刺激。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,由热引起的刺激是通过喷吹加热后的气体、氮气、水的手段,浸渍在装有加热后的气体、氮气、水的容器中的手段,用红外线灯、红外线激光、红外线LED照射红外线、电热板、电热圈、电热带来进行的。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的方法,其中,保护胶带的剥离除去手段是通过气压差吸引胶带的手段。
8.根据权利要求1~7中任意一项所述的方法,其中,保护胶带的剥离除去手段是通过气压差吹飞胶带的手段。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,通过气压差吹飞胶带的手段是使用加热后的气体的手段。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中,通过气压差吹飞胶带的手段是在使用气体的同时使用柔软的树脂球等载体的手段。
11.根据权利要求1~10中任意一项所述的方法,其中,保护胶带的剥离除去手段是并用从被切断物的背面施加振动的手段。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,从被切断物的背面施加振动的手段通过超声波振动器来实施。
13.根据权利要求1~12中任意一项所述的方法,其中,保护胶带的剥离除去手段是通过静电力将保护胶带吸附在带电物体上的手段。
14.根据权利要求1~13中任意一项所述的方法,其中,利用刺激显现出易剥离性的切割表面保护用胶带是通过利用刺激收缩而呈现易剥离性的切割表面保护用胶带、通过利用刺激使含发泡剂粘接剂层发泡而呈现易剥离性的切割表面保护用胶带、通过利用刺激卷曲而呈现易剥离性的切割表面保护用胶带中的任意一个。
15.根据权利要求1~14中任意一项所述的方法,其中,被切断物是半导体晶片、玻璃板、树脂板中的任意一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造