[发明专利]氮化硅材料及其制备方法和氮化硅发热器件及其制备方法有效
| 申请号: | 201010271873.8 | 申请日: | 2010-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN101913879A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
| 发明(设计)人: | 梁田;张伟儒;彭珍珍;刘文彬 | 申请(专利权)人: | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;H05B3/14 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
| 地址: | 100018 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化 材料 及其 制备 方法 发热 器件 | ||
1.一种氮化硅材料,其特征在于,所述氮化硅材料由以下重量百分比的各原料组成:氮化硅粉78%~98%、三氧化二铝0.2%~9%、三氧化二钇0.2%~9%和碳化钨0.05%~5%。
2.根据权利要求1所述的氮化硅材料,其特征在于,所述氮化硅粉的平均粒径为0.1~6μm,所述三氧化二铝的平均粒径为<6μm,所述三氧化二钇的平均粒径为<8μm。
3.根据权利要求1所述的氮化硅材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1).按以下重量百分比称取各原料:氮化硅粉78%~98%、三氧化二铝0.2%~9%、三氧化二钇0.2%~9%和碳化钨0.05%~5%,置入容器中,加研磨剂和研磨介质,放入球磨机中球磨搅拌8~40小时;
2)将球磨好的料浆过30目筛,然后置入烘箱,于温度50~120℃,干燥4~20小时,得到粉料后,将粉料装入球形橡胶模具中在压力30MPa~120MPa下冷等静压造粒,粉碎,再过筛,即得氮化硅材料。
4.根据权利要求3所述的氮化硅材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,料浆干燥8~12小时,得到粉料后,将粉料装入球形橡胶模具中在压力80MPa冷等静压造粒,干燥后得到平均粒径为80~120μm的粉料。
5.一种氮化硅发热器件,所述发热器件包括电阻发热体和基体,其特征在于,所述电阻发热体排列在基体表面或内部,所述基体为氮化硅材料基体,所述电阻发热体为钨丝、钼丝或导电体的浆液发热体,所述氮化硅材料基体由权利要求1或2任一项所述的氮化硅材料制成。
6.根据权利要求5所述的氮化硅发热器件,其特征在于,所述导电体的浆液发热体包括:导电介质、环氧树脂、酒精和纤维素增稠剂,所述导电介质为金属颗粒、碳化钨或硅化钼。
7.根据权利要求6所述的氮化硅发热器件,其特征在于,所述金属颗粒为金、银、铂、钯、铅、钨、钼或镍的颗粒,所述金属颗粒的平均粒径为0.1~100μm。
8.一种氮化硅发热器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A.将氮化硅材料放入预制好的模具中作为基体,再将电阻发热体按预制的形状和位置置入,于压力60~200MPa下,干压或冷等静压压制成型,得到生坯;
B.将得到的生坯经车床或磨床加工成预制的形状,放入炉内进行气氛压力烧结,即得发热器件。
9.根据权利要求8所述的氮化硅发热器件的制备方法,其特征在于,所述步骤1)为将导电浆液按预制的形状布料到基体上,所述基体上层压氧化物,进行煅烧,得到金属颗粒烧结在上面而成的生坯。
10.根据权利要求8所述的氮化硅发热器件的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中烧结的具体过程为:在2小时之内将温度升至1000~1100℃,再将压力加至0.1~0.3MPa,继续升温到1300℃,升温过程中继续加压到0.7~1MPa,恒温保压0.5~1小时,然后将温度升至1500~1640℃同时继续加压到2~3MPa,保温保压1小时,继续升温到1750℃,保温保压1小时,再升温至1800~1850℃,压力达到5~6MPa,保温2小时,然后停止加温,卸压在8小时后温度降至140℃,自然冷却至室温,得到成品。
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