[发明专利]一种平面整流器无效
| 申请号： | 201010271563.6 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101916755A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 | 申请（专利权）人： | 四川太晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/06;H01L29/417;H01L23/495 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市开发*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 整流器 | ||
1.一种平面整流器，包括引线框架、芯片层和散热片，其特征在于，所述芯片层的正面分布4只半导体芯片，每只半导体芯片构成一只二极管，所有二极管电极从芯片层正面引出，并与引线框架连接成桥式整流电路；所述引线框架位于芯片层正面，所述芯片层背面经过绝缘处理和金属化处理后与散热片连接在一起。
2.根据权利要求1所述的一种平面整流器，其特征在于，所述半导体芯片为P型半导体，所述二极管是通过在所述半导体芯片正面扩散N型杂质构成。
3.根据权利要求1所述的一种平面整流器，其特征在于，所述半导体芯片为N型半导体，所述二极管是通过在所述半导体芯片正面扩散P型杂质构成。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种平面整流器，其特征在于，所述半导体芯片材料为Si。
5.根据权利要求4所述的一种平面整流器，其特征在于，所述绝缘处理是在芯片层背面生成一层SiO2或Si3N4，所述金属化处理是在SiO2或Si3N4上形成一层金属膜。
6.根据权利要求5所述的一种平面整流器，其特征在于，所述金属膜材料为Ni。
7.根据权利要求6所述的一种平面整流器，其特征在于，所述散热片为铜片。
8.根据权利要求1～7任意一项所述的一种平面整流器，其特征在于，所述桥式整流电路的4条引脚位于芯片层同一侧。
9.根据权利要求1～7任意一项所述的一种平面整流器，其特征在于，所述桥式整流电路的4条引脚平均分布在芯片层的相对两侧。
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