[发明专利]一种无电容低压差稳压器结构有效

申请号：	201010271214.4	申请日：	2010-09-01
公开（公告）号：	CN102385406A	公开（公告）日：	2012-03-21
发明（设计）人：	段新东	申请（专利权）人：	上海宏力半导体制造有限公司
主分类号：	G05F1/56	分类号：	G05F1/56
代理公司：	上海智信专利代理有限公司 31002	代理人：	王洁
地址：	201203 上海市***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种电容低压稳压器结构
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及稳压器结构，具体涉及一种无电容的低压差稳压器结构，属于半导体技术领域。

背景技术

几乎所有电子产品都具有经调节的电源，调节的目的是为了迎合电子设备的需求。稳压器是这种电源的重要组成部分，它的作用是使输出电压/电流保持在期望的范围内。低压差稳压器(Low Dropout Regulator，LDO，也可称为低压差电压调节器)是具有很小的输入输出电压差的直流(DC)线性稳压器。稳压器的电压差决定了最低可用工作电压(Supply Voltage)。由于目前系统对于效率的要求日益增高，同时功耗的问题日益突出，LDO稳压器成为线性稳压器中的优先选择，广泛应用于各种便携式系统，特别是射频(RF)电路中。

为保证输出电压的稳定性，传统无电容低压差稳压器将其主极点设定在较低频率上以实现输出信号的频率补偿，这就需要提供一较大的输出电容，且很难集成在单个芯片上。

附图1为传统无电容低压差稳压器结构框图。

如图1所示，传统无电容低压差稳压器包括一级放大器100、二级缓冲器200、分压电路300和输出晶体管M_power。

图2为现有低压差稳压器具体电路图。

结合图2所示电路结构可知，传统低压差稳压器的环路增益为：

L(s)=A0(1-s(Cm2/gmp)-s2(Cm1Cm2/gm2gmp))(1+sCOUTRESR)(1+(s/p-3dB))[1+s(COUTRESR+(Cm2/gm2))+s2(Cm2COUT/gm2gmp)]]]>(公式1-1)