[发明专利]一种提取有效栅极长度的方法有效
| 申请号： | 201010271192.1 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386116A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 韦敏侠;张瑛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B7/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提取 有效 栅极 长度 方法 | ||
1.一种提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，该方法包括：提供一参考MOS晶体管，所述参考MOS晶体管的参数包括总电容Cta、单位电容Cua、以及版图设计参数栅极长度La、栅极的数目Na，以及栅极宽度Wa；提供一待测MOS晶体管，所述待测MOS晶体管的参数包括有效栅极长度Lb、总的MOS晶体管总电容Ctb、单位电容Cub、以及版图设计参数栅极的数目Nb、栅极宽度Wb；其特征在于，所述栅极长度La视为所述参考MOS晶体管的有效栅极长度；所述参考MOS晶体管与待测MOS晶体管在同一工艺流程中进行；所述有效栅极长度Lb为：
Lb＝(Na×La×Wa×Ctb)/(Nb×Wb×Cta)
2.如权利要求1所述的提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，其特征在于，所述总电容Cta和总电容Ctb在MOS晶体管制作工艺完成后测试得到。
3.如权利要求1所述的提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，其特征在于，所述栅极长度La的大于等于1微米。
4.如权利要求3所述的提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，其特征在于，所述栅极长度La的可以为2微米、5微米、8微米、10微米。
5.如权利要求1所述的提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，其特征在于，所述参考MOS晶体管与待测MOS晶体管制作在同一硅片上。
6.如权利要求1所述的提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，其特征在于，所述栅极宽度Wa与栅极宽度Wb的尺寸均大于等于1微米。
7.如权利要求6所述的提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，其特征在于，所述栅极宽度Wa与栅极宽度Wb的设计尺寸相等时，所述有效栅极长度Lb为：
Lb＝(Na×La×Ctb)/(Nb×Cta)
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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