[发明专利]一种掺杂Ca2+的铋层状压电陶瓷材料及其制备方法无效
申请号: | 201010271185.1 | 申请日: | 2010-09-03 |
公开(公告)号: | CN101982441A | 公开(公告)日: | 2011-03-02 |
发明(设计)人: | 闵鑫;钱小龙;房明浩;黄朝晖;刘艳改 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(北京) |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/622;H01L41/187 |
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地址: | 100083 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 ca sup 层状 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.掺杂Ca2+的SrBi2NbTaO9体系铋层状压电陶瓷,其特征在于:
化学式为:CaxSr1-xBi2NbTaO9,其中0<x<1。
2.一种按权利要求1所述的掺杂Ca2+的铋层状压电陶瓷材料的制备方法,包括配料、混料、干燥、研磨、干压成型、烧结、抛光、电极化等步骤,其特征在于:
(1)按照化学式CaxSr1-xBi2NbTaO9配料,其中0<x<1;
(2)烧结温度为800℃-1300℃,保温时间为0.1-6小时。
3.按照权利要求2所述的掺杂Ca2+的铋层状压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于采用CaCO3、SrCO3、Bi2O3、Ta2O5、Nb2O5为原料,其中CaCO3可由CaO、Ca(OH)2等替代。
4.按照权利要求2所述的掺杂Ca2+的铋层状压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于混料采用行星球磨工艺,以酒精为分散介质。
5.按照权利要求2所述的掺杂Ca2+的铋层状压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于干压成型压力为0.1~100MPa。
6.按照权利要求2所述的掺杂Ca2+的铋层状压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于采用敞开煅烧合成的方法,其烧结温度为800℃~1300℃,保温时间为0.1~6h。
7.按照权利要求1或2所述的制备掺杂Ca2+的铋层状压电陶瓷材料,其主要应用于制备各种形状的压电陶瓷元件或组装成各类压电传感器。
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