[发明专利]利用光电耦合器封装长度增加内部绝缘距离的一种方法

说明书

技术领域

本技术发明涉及光电耦合器产品封装结构，该结构提供了一种增加光耦产品内部绝缘距离的解决方案。(光电耦合器简称光耦)

背景技术

面对面结构F是目前普遍应用的一种光耦产品内部结构，如图1所示，输入端芯片与输出端芯片与产品长度的正面平行，输入端芯片发出的红外光直接传输至对面的输出端感光芯片。但面对面结构F对于小型贴片封装产品(SOP封装)具有局限性。由于产品厚度的限制(≤2.0毫米)，内部绝缘距离(产品内部输入与输出端导电体之间的最短距离)如图1中的(106)所示，仅能做到＞0.4毫米，输入与输出端之间的高压耐压仅能达到交流3750伏(有效值)。对于高压耐压要求为交流5000伏(有效值)的光耦产品，绝缘距离必须做到≥0.75毫米。面对面结构F无法应用于光耦耐压要求为交流5000伏(有效值)的SOP封装产品。

发明内容

本发明的目的在于提供一种利用光电耦合器封装长度增加内部绝缘距离的解决方案，这个方案产生光耦产品的垂直结构V。如图2所示，与面对面结构F相比，芯片转了90度，与产品长度的正面垂直，安装在金属支架的顶端，这样避开了产品厚度的限制，利用产品长度提供的空间使内部绝缘距离＞0.75毫米。本发明产生的《光耦产品垂直结构V》的有益效果是增加了光耦内部绝缘距离。譬如对光耦中的小型贴片封装产品(SOP封装，产品厚度≤2.0毫米)的内部绝缘距离从仅大于0.4毫米提高到0.75毫米以上，从而使产品的耐高压能力从交流3750伏(有效值)提高到5000伏以上(有效值)。

本发明通过以下技术方案实现：

在生产光电耦合器金属框架时，用冲压法在其顶端形成垂直面，在不同的垂直框架的垂直面上分别安装输入端芯片和输出端芯片，再焊接上金属线，然后通过精密模具定位使得输入端芯片和输出端芯片处在面对面的位置，并使内部绝缘距离达到相应的要求，定位是通过精密模具上的定位针和金属框架上的定位孔达到精确定位的，然后进行透光材料封装，再进行外部封装。

附图说明

图1是面对面结构F。

图2是本发明的光耦产品垂直结构V。

图3是本发明的光耦产品垂直结构V的俯视图。

图4是芯片不在同一轴线上的垂直结构V俯视图。

图5是垂直支架装配图。

图6是封装前支架及模具定位图。

图7是封装前支架放大示意图。

图8是封装模具及定位针放大示意图。

图9是封装后的产品及支架。

具体实施方式

实施例

《垂直结构V》如图2所示，其中(201)为产品厚度，(202)为产品长度，(203)为外封装材料，(204)为透光封装材料，(205)为芯片，(206)为内部绝缘距离，(207)为内部高压渗透距离，(208)为金属支架。图3和图4为两种封装形式以适应不同的输入和输出端的电性能引线要求，其中图3芯片安装在同一轴线上，图4芯片安装在不同的轴线上。这种结构利用产品长度提供的空间使内部绝缘距离(206)从大于0.4毫米提高到0.75毫米以上。比如应用到小型贴片封装光耦(SOP封装，产品厚度≤2.0毫米)产品时，能使耐高压能力从交流3750伏(有效值)提高到5000伏以上(有效值)。

应用光耦产品垂直结构V技术，可以在封装前用垂直支架分别装配输入端芯片(501)和输出端芯片(502)，如图5所示。内部绝缘距离(206)可以在封装透光材料(204)时用精密模具定位来保障，如图6所示。图7所示是封装前支架放大示意图。图8所示是封装模具及定位针放大示意图。图9所示是封装后的产品及支架。