[发明专利]微米级单分散二氧化硅微球的制备方法无效
| 申请号: | 201010270523.X | 申请日: | 2010-09-01 |
| 公开(公告)号: | CN101913612A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
| 发明(设计)人: | 陈胜利;袁桂梅;周倩;胡春田 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
| 主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 韩蕾 |
| 地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微米 分散 二氧化硅 制备 方法 | ||
1.一种微米级单分散二氧化硅微球的制备方法,该方法包括步骤:
将单分散SiO2微球种子、NH3-H2O和低碳醇混合配成种子液,然后加入NH3/H2O/低碳醇溶液和TEOS/低碳醇溶液进行反应,使TEOS水解生成的SiO2在SiO2微球种子外表面上生长,且在反应的同时进行机械搅拌和超声处理;
待SiO2微球生长成所需粒径的微球后,停止加料,并继续反应直到TEOS完全水解;
反应结束后,将含有SiO2微球的反应液离心水洗得到微米级单分散SiO2微球。
2.根据权利要求1所述的制备方法,该方法是用于制备平均粒径为1微米到数十微米的单分散SiO2微球,特别是用于制备平均粒径为2~20μm的单分散SiO2微球。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述单分散SiO2微球种子为粒径小于目标单分散SiO2微球粒径的单分散SiO2微球。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述反应温度为保持反应体系为液相的温度,优选的反应温度为5~45℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述低碳醇为乙醇或甲醇或者它们的混合物。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述反应体系中NH3浓度为0.5~4M,水的浓度为2~20M;所述NH3/H2O/低碳醇溶液和TEOS/低碳醇溶液的加入方式为连续加入或分批加入。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述反应体系中SiO2微球种子的数密度大于(个/ml),小于(个/ml),种子粒径dp的单位是μm。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述超声处理和机械搅拌为同时进行;所述超声处理条件:超声功力为10~200W/L,超声频率为10~100KHz;所述机械搅伴强度为使SiO2微球悬浮的机械强度。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其中,采用一步生长得到所需粒径的单分散SiO2微球,或进行多步生长得到所需粒径的单分散SiO2微球。
10.一种微米级单分散SiO2微球,其是按照权利要求1~9任一项所述方法制备得到的;优选地,所述微米级单分散SiO2微球的平均粒径为2~20μm,比重1.7~2.0或经焙烧后比重1.90~2.25,为无孔或几乎无孔SiO2微球。
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