[发明专利]部分氢化聚合物及用于部分氢化聚合物的方法

说明书

技术领域

本发明涉及部分氢化未饱和聚合物，尤其涉及一种以异相触媒部分氢化含乙烯芳族基团的未饱和部分氢化聚合物及用于部分氢化聚合物的方法。

背景技术

含共轭二烯及乙烯芳族基团的聚合物，例如苯乙烯-丁二烯或苯乙烯-异戊二烯的三嵌段或五嵌段共聚物已商业化地应用于如粘着剂、鞋底及聚合物改质剂等。然而，共轭二烯基团及乙烯芳族基团是相当不稳定的结构，很容易因为热或曝露于紫外光下氧化或在其他不良的环境中产生裂解。

由于通过氢化来高度饱和此等聚合物可以改善其结构稳定性。已有许多专利涉及这样的技术，如美国专利5,352,744揭示氢化聚合物其芳香基团/聚二烯基团的饱和度在99.5％以上。美国专利6,841,626也有揭示于苯乙烯基团的饱和度在98.4％的氢化聚合物。

然而，以现有部分饱和化技术所获得的聚合物，其于芳香基团的饱和度不是太高就是太低。饱和度太高是不利的，尤其高于90％，将可能失去聚合物链弹性。饱和度太低也是不利的，尤其低于20％，将导致稳定性不足。因此需要一种新颖的部分氢化聚合物，具有适当的饱和度以符合应用需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种部分氢化聚合物及用于部分氢化聚合物的方法，以提供具有适当饱和度的部分氢化聚合物，实际上是一种芳族嵌段上仍保有适当数量的双键的部分氢化聚合物。

在一实施例，本发明提供一种部分氢化聚合物，包含至少一个氢化共轭二烯嵌段；及至少一个氢化乙烯芳族嵌段，其具有一碳环与该氢化聚合物的一主链相连，相较于该氢化聚合物的总重量，该氢化聚合物仅具有一个及仅具有两个双键于该碳环上的平均重量百分比为1-30wt％之间，较佳为2-20wt％之间。

在一实施例，本发明提供一种部分氢化聚合物的方法，包含：

提供具有至少一个乙烯芳族嵌段及至少一个共轭二烯嵌段的一聚合物；及

在存在一异相触媒状况下氢化所述聚合物以获得如权利要求1所述的氢化聚合物，所述异相触媒位于一载体上，所述载体选自硫酸钡(BaSO₄)，氧化铝(Al₂O₃)，二氧化钛(TiO₂)，氧化锆(ZrO₂)，活性碳(C)及其上述各项的任何组合所组成的群组。

本发明另一方面在于使用异相触媒部分氢化聚合物的共轭二烯嵌段及乙烯芳族嵌段。具体而言，聚合物共轭二烯聚合嵌段的氢化率为大于95％；而聚合物的芳族基团则通过部分氢化转变为如环己烯、环己烷或环己二烯。为了避免形成现有技术中所述不符合期待的特性，部分氢化后芳族嵌段的氢化率是在20％～90％之间，较佳在25％～80％之间，更佳在30％～60％之间。换句话说，本发明的此方面特征在于保持碳环上具有适当的双键的数量，以利于后续作官能化反应或部分交联。

在另一实施例，本发明提供一种部分氢化聚合物，主要包含(consisting essentially)至少一个氢化乙烯芳族嵌段，其具有一碳环与该氢化聚合物的一主链相连。易言之，该氢化聚合物基本上不含共轭二烯嵌段。相较于该氢化聚合物之总重量，该氢化聚合物仅具有一个及仅具有两个双键于该碳环上的平均重量百分比为1-30wt％之间，较佳为2-20wt％之间，最佳为2-15wt％之间。

在一实施例，本发明提供一种用于部分氢化聚合物的方法，包含：

提供具有至少一个乙烯芳族嵌段；以及

在存在一异相触媒状况下氢化所述聚合物以获得如权利要求11所述的氢化聚合物，所述异相触媒位于一载体上，所述载体选自硫酸钡(BaSO₄)，氧化铝(Al₂O₃)，二氧化钛(TiO₂)，氧化锆(ZrO₂)，活性碳(C)及其上述各项的任何组合所组成的群组。

本发明另一方面在于使用异相触媒部分地氢化该不具有共轭二烯的聚合物的芳族嵌段。具体而言，此聚合物的芳族基团则通过部分氢化转变为如环己烯、环己烷或环己二烯。为了避免形成现有技术中所述不符合期待的特性，部分氢化后芳族嵌段的氢化率是在20％～90％之间，较佳在25％～80％之间，更佳在30％～60％之间。换句话说，本发明的此方面特征在于保持碳环上具有适当的双键的数量，以利于后续作官能化反应或部分交联。

本发明尚包含其他方面以解决其他问题并合并上述各方面详细揭示于以下实施方式中。

附图说明

图1为本发明一实施例显示第一氢化聚合物的示范性结构。