[发明专利]一种单深结密栅线结构太阳电池及其制作方法无效

申请号：	201010269178.8	申请日：	2010-08-31
公开（公告）号：	CN102013439A	公开（公告）日：	2011-04-13
发明（设计）人：	闻震利;窦永铭;张辉	申请（专利权）人：	厦门索纳新能源有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司：	厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204	代理人：	连耀忠
地址：	361000 福建省厦***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	一种单深结密栅线结构太阳电池及其制作方法
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【权利要求书】：

1.一种单深结密栅线结构太阳电池，其特征在于：由银栅线电极、减反射膜、N型重掺杂深发射极N⁺⁺、P型晶体硅和铝背场构成；铝背场设在P型晶体硅的背面；多个银栅线电极均匀分布在P型晶体硅的正面，且相邻的银栅线电极之间的间距为0.1～1mm；在对应于银栅线电极下方的P型晶体硅中设有以液态源磷扩散方式制成的N型重掺杂深发射极N⁺⁺，该N型重掺杂深发射极N⁺⁺的结深为0.5～2μm；减反射膜覆盖在除银栅线电极之外的P型晶体硅的正面中。

2.根据权利要求1所述的单深结密栅线结构太阳电池，其特征在于：所述的减反射膜的厚度为65～85nm。

3.根据权利要求1所述的单深结密栅线结构太阳电池，其特征在于：所述的P型晶体硅厚度为80～300μm。

4.根据权利要求1或3所述的单深结密栅线结构太阳电池，其特征在于：所述的P型晶体硅为单晶硅片或多晶硅片。

5.一种单深结密栅线结构太阳电池的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

A.采用等离子体增强化学气相沉积法在P型晶体硅的正面上沉积减反射膜；

B.用激光的方法在步骤A所形成的减反射膜上根据预先所设计的银栅线电极的分布方式开槽，使每个槽口对应于一个银栅线电极的分布位置；

C.采用三氯氧磷液态源扩散方法在上述覆盖有减反射膜的P型晶体硅上制作N型深发射结，使每个槽口下方的P型晶体硅形成具有一定结深度的N型重掺杂深发射极N⁺⁺；

D.用光诱导化学镀工艺在已形成有N型重掺杂深发射极N⁺⁺的槽口中镀银而形成银栅线电极；

E.在上述已制成有银栅线电极的P型晶体硅的背面采用丝网印刷铝浆料方式并在网带炉中热退火形成铝背面电场。

6.根据权利要求5所述的单深结密栅线结构太阳电池的制作方法，其特征在于：所述的步骤D中，还包括用光诱导化学镀(LICP)工艺先在槽口中镀铜，然后再镀银。

7.根据权利要求5所述的单深结密栅线结构太阳电池的制作方法，其特征在于：在步骤B中，所述的预先所设计的银栅线电极的分布方式为均匀分布，且相邻的银栅线电极之间的间距为0.1～1mm。

8.根据权利要求5所述的单深结密栅线结构太阳电池的制作方法，其特征在于：在步骤C中，所述的N型重掺杂深发射极N⁺⁺的结深为0.5～2μm。