[发明专利]红假单胞菌菌株及其液体菌剂及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201010269080.2 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN101948782A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 刘勇;尹乐斌;张德咏;张松柏;罗香文;成飞雪;罗源华;朱春晖;张驰 申请(专利权)人: 湖南省植物保护研究所
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;A62D3/02;C02F3/34;C12R1/01;A62D101/04;A62D101/28;C02F101/30
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 杨斌
地址: 410125*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 红假单胞菌 菌株 及其 液体 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域

发明属于利用生物降解化学农药残留物技术领域,具体涉及一种红假单胞菌及其菌剂及相应的制备方法和应用。

背景技术

化学农药中化学除草剂的使用,在农业生产中挽回了大量因草害引起的损失,同时极大地提高了农业生产的劳动效率和机械化程度,在农业生产的现代化进程中起了不可估量的作用。但是,农业生产中广泛使用的化学除草剂,其在环境中的残留不仅严重污染了环境,而且造成了农产品中化学除草剂残留物的超标,严重影响了农产品的质量和品质;而且,化学除草剂选择性强,对不同作物的敏感性差异很大,土壤中少量的残留量即可对后茬敏感作物产生药害,因此该类除草剂在土壤中的残留物对后茬作物的安全性等问题引起了人们的普遍关注。许多国家和地区目前不得不暂时禁用某些残留期长的除草剂。

目前,由于我国从事农业生产的劳动力的减少,我国农业发展的趋势是大规模机械化生产,不使用化学除草剂,无法解决因草害引起的经济损失以及由此引起的农作物(特别是粮食作物)品级的降低。因此,在现有植保水平下除草剂还将继续在农业生产中发挥巨大作用。然而,随着人们生活水平的提高和环境保护意识的增强,人们越来越关注农产品中的农药残留物所带来的危害问题。如何协调解决农业生产中的这个两难问题就成为各个学科的研究热点。实验室和实际应用研究均表明利用微生物来消除化学农药的残留物,具有环保、实用、操作简便等特点,目前已成为去除农药残留物污染的一种重要方法,但该方法成本相对较高,去除效果还有待进一步加强。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种生产成本小、使用方便、农药降解效果好的红假单胞菌菌株及利用该菌株制得的液体菌剂,同时还相应提供一种前述液体菌剂的制备方法,以及前述菌株及液体菌剂在降解除草剂吡嘧磺隆残留物中的应用,以解决土壤中的化学除草剂残留物对后茬作物的安全性问题,也可应用于含高浓度农药的农业废水的处理。

为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为一种红假单胞菌菌株,所述红假单胞菌菌株的保藏名称为红假单胞菌S8-1(Rhodopseudomonas sphaeroides S8-1),保藏单位为中国典型培养物保藏中心,保藏号为CCTCC M 2010144。

上述本发明的红假单胞菌菌株属革兰氏阴性菌,经鉴定为红假单胞菌(Rhodopseudomonas sphaeroides),其主要生物学特征为:双层固体平板培养基上,培养5d~7d,形成红色的圆形菌落,边缘整齐光滑,菌落直径0.45mm~1.05mm。液体培养基中培养6d呈深红色。菌体G-,光学显微镜观察呈球形或卵状,能在厌氧或微好氧条件下生长;该菌体超薄切片电镜观察菌体切片形态多变,从球形、卵球到短杆形不等。以二分裂增殖,极生鞭毛,菌体大小(0.7~1.2)μm×(0.8~2.5)μm,光合内膜结构为片层状,位于质膜之下并与质膜平行。生理生化特性:V-P反应、甲基红反应、吲哚试验、脲酶试验均阴性;H2S反应、明胶液化、接触酶试验均阳性,3%NaCl中能生长,能利用淀粉,最适生长温度30℃~35℃,pH 7.0~7.2,能以吡嘧磺隆为唯一的碳源和氮源生长。菌体细胞的特征吸收峰为310nm、585nm、809nm、865nm。菌体16S rDNA序列长度为1430bp,在GenBank中的登录号为EU004438。

作为一个总的技术构思,本发明还提供一种含上述红假单胞菌菌株的液体菌剂,在该液体菌剂中,所述红假单胞菌S8-1的菌体浓度达到10亿个/ml以上。

作为一个总的技术构思,本发明还提供一种上述的红假单胞菌菌株的液体菌剂的制备方法,包括以下步骤:

(1)活化:将所述红假单胞菌S8-1接种于双层夹心固体培养基平板中进行活化,所述活化过程中,控制固体培养基的pH值为7.0~7.2,活化温度控制在30℃~35℃,活化时的光照强度控制在4500lux~7500lux,活化培养至红色菌落出现;

(2)种子培养:将上述活化后的红假单胞菌S8-1菌种接种于种子液体培养基中,种子培养时的温度控制在30℃~35℃,光照强度控制在4500lux~7500lux,种子培养至对数期;

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