[发明专利]硫原子桥联双金属单元配合物的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010268845.0 申请日: 2010-08-30
公开(公告)号: CN102382141A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 方文娟;刘春元 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C07F11/00 分类号: C07F11/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 杨元焱
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 原子 双金属 单元 配合 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种配位化合物的制备方法,尤其涉及一种硫原子桥联双金属单元配合物的制备方法。

背景技术

随着信息科学及相关技术的飞速发展,对计算机微处理系统提出了更高的要求。设计研制新一代的超微型化、超高速、超大容量的计算机,关键在于开发新型的高密度集成电路。传统微电子工业利用光刻技术在单晶硅片上制造大规模集成电路的加工工艺已逼近极限。早在1974年,Aviram等就提出了某些分子能代替硅芯片的观点,但直到近年来在这一领域才有进展。分子电子材料能够在分子尺度上快速处理大量信息,其高密度、高响应速率及高的能量转化效率吸引了众多研究者的目光。科学家认为,未来的计算机应是分子计算机,即通过分子水平上的化学和物理作用对信息进行检测、处理、传输和存储。因此,有关“分子电子器件”的研究,成为交叉于化学、材料学科的国际前沿课题和热点领域,分子导线和分子开关又是其中的重点。近年已提出一些有望用于实际的体系,如以共轭多聚乙炔链相连接的联多吡啶配合物组成的光控分子导线、以蒽醌套索醚与阳离子结合组成的氧化还原型电控分子开关和以DNA分子组成的核酸型分子导线等。但是,由于分子导线与分子开关的研究涉及到长程光、电子转移反应,许多影响因素尚未完全清楚,制约了这一领域的发展。而一些桥连双金属单元配合物可发生分子内电子转移反应,引起价间电荷转移过程(IVTC)并伴随金属-金属共价键键长的变化,可以比较方便的控制和检测,具有成为分子器件的潜能,引起了众多研究者的兴趣。而且由于其多样性、相对稳定性及其独特的电学和光学性质,已成为研究分子导线、分子开关和分子整流器等分子电子器件的理想模型之一。

桥连双金属单元配合物分子内的电子耦合和电子传递的研究,与单核金属离子比较,金属-金属键合单体电子结构定义清晰。例如以四重键形成的Mo2,电子构型为σ2π4δ2,其HOMO(δ)与HOMO-1(π)对称性不同,能级差较大,金属中心的氧化还原反应和金属-金属之间的电子偶合作用都只与两个δ价电子有关,这给电子结构和轨道作用的分析带来极大的方便。其次,共价双金属单体的分子结构、电子构型和光谱性质三者相互关联,电子构型的变化即金属-金属键键级的变化,表现为可测定参数如金属-金属键键长和可见光区δ→δ*跃迁的变化。以金属-金属键和δ→δ*吸收光谱作为电子结构的探针,结合电化学和磁学性质等简便的方法来探索配合物的电子耦合性质,研究手段简便、易实施。

目前,有关的桥联双金属单元配合物大多数为有机配体桥联的双金属单元配合物,由于该类化合物对空气和水分敏感,对其物理化学性质的研究造成了一定的限制。而且合成有机配体桥联的双金属单元配合物时,首先得设计合成出合适的有机桥配体,再与双金属构筑单元反应,合成步骤繁琐。由于该类化合物对空气和水分敏感,存在合成条件苛刻,后处理麻烦,产率低,单晶培养体系复杂等问题。

发明内容

本发明的目的,就是为了提供一种在空气中稳定存在、并可在实际研究和生产中得到应用的硫原子桥联双金属单元配合物的制备方法。

为了达到上述目的,本发明采用了以下两种技术方案:

第一种技术方案是,在无水无氧条件下,由双金属构筑单元M2(DAniF)3(OOCCH3)的四氢呋喃溶液与HS-离子盐的水溶液反应,合成出对水分和空气敏感的配合物,然后将所得配合物置于空气中进行去质子偶合氧化反应,制备出硫原子桥联双金属单元配合物;

所述双金属构筑单元M2(DAniF)3(OOCCH3)与HS-离子的摩尔比为1∶5;

所述双金属构筑单元M2(DAniF)3(OOCCH3)中的M代表Mo或W,DAniF代表N,N′-二-对甲氧基苯甲脒或N,N′-二-对甲氧基苯甲脒的衍生物。

第二种技术方案是,在空气中,由双金属构筑单元M2(DAniF)3(OOCCH3)的四氢呋喃溶液与S2-离子盐的水溶液反应,制备出硫原子桥联双金属单元配合物;

所述双金属构筑单元M2(DAniF)3(OOCCH3)与S2-离子的摩尔比为1∶5;

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