[发明专利]半导体被处理基板的真空处理系统及半导体被处理基板的真空处理方法

权利要求书

1.一种半导体被处理基板的真空处理系统，其特征在于，具备：大气搬运室，其前面侧配置多个盒台，搬运设置于所述多个盒台内的一个上的盒内所收纳的晶片；锁定室，其配置于该大气搬运室的后方，在内部收纳从该大气搬运室搬运的所述晶片；第一真空搬运室，其与该锁定室的后方连结，从该锁定室搬运所述晶片；搬运中间室，其与所述第一真空搬运室的后方连结；第二真空搬运室，其与该搬运中间室的后方连结，从该搬运中间室搬运所述晶片；与所述第一真空搬运室的后方连结、处理从所述第一真空搬运室搬运的所述晶片的至少一个真空处理室；与所述第二真空搬运室的后方连结、处理从所述第二真空搬运室搬运的所述晶片的两个以上的真空处理室，

与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的数量比与所述第二真空搬运室连结的真空处理室的数量少。

2.如权利要求1所述的半导体被处理基板的真空处理系统，其特征在于，

作为与所述第一真空搬运室连结且处理从所述第一真空搬运室搬运来的所述晶片的第一真空处理室、和与所述第二真空搬运室连结且处理从所述第二真空搬运室搬运来的所述晶片的第二及第三真空处理室，

将与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的数量设为1个，将与所述第二真空搬运室连结的真空处理室的数量设为2个。

3.如权利要求1或2所述的半导体被处理基板的真空处理系统，其特征在于，

在所述第一及第二真空搬运室的各自内部配置搬运机器人，该搬运机器人包括具有多个臂的搬运机器人。

4.一种半导体被处理基板的真空处理方法，使用半导体处理基板的真空处理系统处理半导体被处理基板，所述半导体被处理基板的真空处理系统具备：大气搬运室，其前面侧配置多个盒台，搬运设置于所述多个盒台内的一个上的盒内所收纳的晶片；锁定室，其配置于该大气搬运室的后方，在内部收纳从该大气搬运室搬运的所述晶片；第一真空搬运室，其与该锁定室的后方连结，从该锁定室搬运所述晶片；搬运中间室，其与所述第一真空搬运室的后方连结；第二真空搬运室，其与该搬运中间室的后方连结，从该搬运中间室搬运所述晶片；与所述第一真空搬运室的后方连结、处理从所述第一真空搬运室搬运的所述晶片的多个真空处理室；与所述第二真空搬运室的后方连结、处理从所述第二真空搬运室搬运的所述晶片的多个真空处理室，其特征在于，以使用与所述第一真空搬运室连结的多个真空处理室内的一个真空处理室的方式控制所述晶片的搬运。

5.如权利要求4所述的半导体被处理基板的真空处理方法，其特征在于，

在所述第一及第二真空搬运室的各自内部配置有搬运机器人，该搬运机器人包括具有多个臂的搬运机器人，

以使用与所述第一真空搬运室连结的多个真空处理室内的一个真空处理室的方式控制所述搬运机器人进行的所述晶片的搬运。