[发明专利]半导体器件和半导体埋层的制造方法有效
| 申请号： | 201010268643.6 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386121A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴孝嘉;罗泽煌;宋华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/74 | 分类号： | H01L21/74;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 制造 方法 | ||
1.一种半导体埋层的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一氧化层；
以具有第一埋层区图案的光刻胶层为掩膜，在所述基底表面内形成第一埋层区，所述第一埋层区与基底的其他区域具有不同的掺杂状态；
在具有第一埋层区的基底表面上形成第二氧化层；
以所述第二氧化层为掩膜在所述基底表面内采用自对准工艺形成第二埋层区。
2.根据权利要求1所述的半导体埋层的制造方法，其特征在于，所述掺杂状态包括：掺杂浓度或者杂质种类。
3.根据权利要求1所述的半导体埋层的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层覆盖于第一埋层区上的部分为第一区域，所述第二氧化层覆盖于基底其他区域上的部分为第二区域，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体埋层的制造方法，其特征在于，还包括：形成第二埋层区后，去除第一氧化层和第二氧化层。
5.根据权利要求1所述的半导体埋层的制造方法，其特征在于，所述形成第一埋层区的工艺条件为：注入离子为锑，注入能量为40kev，掺杂剂量为1E15cm-3，掺杂浓度为5E16cm-3。
6.根据权利要求5所述的半导体埋层的制造方法，其特征在于，所述形成第二氧化层采用的工艺为湿氧工艺。
7.根据权利要求6所述的半导体埋层的制造方法，其特征在于，所述形成第二氧化层的温度为815℃。
8.根据权利要求3-7任一项所述的半导体埋层的制造方法，其特征在于，所述第一区域的厚度为所述第二区域的厚度为
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括第一氧化层；
位于所述基底表面内的第一埋层区，所述第一埋层区与基底的其他区域具有不同的掺杂状态；
位于所述基底表面内的第二埋层区，所述第二埋层区是以位于所述第一埋层区的基底表面上的第二氧化层为掩膜采用自对准工艺形成的。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化层覆盖于第一埋层区上的部分为第一区域，所述第二氧化层覆盖于基底其他区域上的部分为第二区域，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
