[发明专利]红外焦平面阵列器件及其制作方法

权利要求书

1.一种红外焦平面阵列器件，其特征在于，包括：

衬底；

空腔，位于所述衬底内；

红外传感层，悬空于所述空腔的上方；

悬臂梁，悬空于所述衬底上方，一端与衬底固定连接，另一端与红外传感层固定连接；

红外反射层，遮盖于所述红外传感层的上方并且与红外传感层之间具有共振腔，通过支撑柱与所述红外传感层连接。

2.根据权利要求1所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述空腔周围的衬底为用于散热的热沉，所述悬臂梁与衬底连接的一端即连接在所述热沉上。

3.根据权利要求2所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述悬臂梁基本设置于所述热沉上方，与热沉之间具有间隙。

4.根据权利要求2所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述悬臂梁包括电引线及电引线介质层，所述电引线从红外传感层吸收热量并散入所述热沉。

5.根据权利要求1所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述红外传感层包括单晶硅电阻、单晶硅PN结二极管、单晶锗硅电阻或者单晶锗硅PN结二极管。

6.根据权利要求2所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述衬底为SOI衬底，则所述红外传感层由所述SOI衬底中的顶硅层制作。

7.根据权利要求1所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述红外反射层包括金属层和所述金属层外部的支撑介质层。

8.根据权利要求1所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述金属层包括Ti或者TiN。

9.根据权利要求1所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，红外反射层与红外传感层之间的共振腔的厚度范围为1-3.5um。

10.根据权利要求4所述红外焦平面阵列器件，其特征在于，所述电引线的材料为Ti，TiN或Ti/TiN复合层，所述热沉的材料为非晶硅或多晶硅。

11.一种红外焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成热沉沟槽以及所述热沉沟槽内的支撑介质层；

去除热沉沟槽底部的支撑介质层，并在所述热沉沟槽内形成热沉；

在所述衬底表面形成第一介质层，并在所述热沉位置的第一介质层上形成第一释放牺牲层及第一释放牺牲层上面的悬臂梁；

在所述热沉沟槽外的第一介质层上形成红外传感层，并在整个衬底表面覆盖第二释放牺牲层；

在所述第二释放牺牲层上形成红外反射层及其支撑柱；

采用气相腐蚀方法释放掉第一释放牺牲层、第二释放牺牲层以及红外传感层下面的衬底材料。