[发明专利]电压转换速率控制电路

权利要求书

1.一种电压转换速率控制电路，其特征在于，包括至少两个不同尺寸的反相器和一逻辑控制单元；

所述逻辑控制单元包括一个驱动输入端和至少一个反相器选择输入端，对应于所述驱动输入端，所述逻辑控制单元设有两个驱动输出端，对应于每个所述反相器选择输入端，所述逻辑控制单元设有两个反相器选择输出端；

所述驱动输入端与外部电路的驱动控制开关连接，每个所述反相器选择输入端与一外部电压转化速率选择开关连接；

所述两个驱动输出端分别与一个反相器的两个控制端连接；

所述反相器选择输入端所对应的两个反相器选择输出端分别与一个反相器的两个控制端连接；

每个所述反相器的输出端分别与P通道输出端和N通道输出端连接；

一个所述反相器对应一档电压转换速率；

根据需要的电压转换速率，由所述逻辑控制单元控制选择对应的反相器传输信号。

2.如权利要求1所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，所述反相器的尺寸越大，该反相器所对应的电压转换速率越大。

3.如权利要求1所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，所述P通道输出端输出的信号被包络在所述N通道输出端输出的信号内或者所述N通道输出端输出的信号被包络在所述P通道输出端输出的信号内。

4.如权利要求1所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，所述两个驱动输出端分别与尺寸最小的反相器的两个控制端连接。

5.如权利要求1、2或3所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，所述反相器包括数量相等的多个P型场效应晶体管和多个N型场效应晶体管，一个P型场效应晶体管与一个N型场效应晶体管相对应；

从所述多个P型场效应晶体管中选择一个P型场效应晶体管，该P型场效应晶体管以及与该P型场效应晶体管相对应的N型场效应晶体管的栅极形成该电压转换速率控制电路的输入端，该P型场效应晶体管的源极和衬基极均与外部高电压连接，该P型场效应晶体管的漏极与所述P通道输出端连接，该N型场效应晶体管的漏极与所述N通道输出端连接，该N型场效应晶体管的源极和衬基极均接地；

从所述多个P型场效应晶体管中选择另一个P型场效应晶体管，该P型场效应晶体管以及与该P型场效应晶体管相对应的N型场效应晶体管的栅极分别与所述逻辑控制单元的两个驱动输出端连接，该P型场效应晶体管的源极与所述P通道输出端连接，该P型场效应晶体管的漏极与所述N通道输出端连接，该P型场效应晶体管的衬基极与外部高电压连接，该N型场效应晶体管的漏极与所述P通道输出端连接，该N型场效应晶体管的源极均与所述N通道输出端连接，该N型场效应晶体管的衬基极接地；

其余各个P型场效应晶体管以及与其相对应的N型场效应晶体管的栅极分别与一个反相器选择输入端所对应的两个反相器选择输出端连接，其余P型场效应晶体管的源极均与所述P通道输出端连接，其余P型场效应晶体管的漏极均与所述N通道输出端连接，其余P型场效应晶体管的衬基极均与外部高电压连接；

其余N型场效应晶体管的漏极均与所述P通道输出端连接，其余N型场效应晶体管的源极均与所述N通道输出端连接，其余N型场效应晶体管的衬基极接地。

6.如权利要求5所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，各个P型场效应晶体管的尺寸均不相同，各个N型场效应晶体管的尺寸均不相同。

7.如权利要求6所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，栅极形成该电压转换速率控制电路的输入端的P型场效应晶体管的尺寸是所述多个P型场效应晶体管中尺寸最大的，栅极形成该电压转换速率控制电路的输入端的N型场效应晶体管的尺寸是所述多个N型场效应晶体管中尺寸最大的。

8.如权利要求6所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，与所述逻辑控制单元的驱动输出端连接的P型场效应晶体管的尺寸是所述多个P型场效应晶体管中尺寸最小的，与所述逻辑控制单元的驱动输出端连接的N型场效应晶体管的尺寸是所述多个N型场效应晶体管中尺寸最小的。

9.如权利要求5所述的电压转换速率控制电路，其特征在于，该电压转换速率控制电路还包括用于防止后续电路漏电的一P型场效应晶体管和一N型场效应晶体管；

所述P型场效应晶体管的源极及其衬基极均连接外部高压端；

所述P型场效应晶体管的栅极与所述逻辑控制单元的一驱动输出端连接；

所述P型场效应晶体管的漏极与所述P通路输出端连接；

所述N型场效应晶体管的源极及其衬基极均接地；

所述N型场效应晶体管的栅极与所述逻辑控制单元的另一驱动输出端连接；

所述N型场效应晶体管的漏极与所述N通路输出端连接。