[发明专利]一种薄膜太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制造方法，其中包括如下步骤：

在衬底(45)上形成第二电极(44)；

在第二电极(44)上形成第二n型非晶硅层(43n)；

在第二n型非晶硅层(43n)上形成第二i型非晶硅层(43i)；

对所形成的非晶硅层进行激光结晶处理，转换为第二n型微晶硅层和第二i型微晶硅层；

在所形成的微晶硅层上形成第二p型微晶硅层(43p)；以及

形成第一电极(41)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制造方法，其中：

在所述第二p型微晶硅层(43p)上依次形成第一n型非晶硅层(42n)、第一i型非晶硅层(42i)以及第一p型非晶硅层(42p)；

在所述第一p型非晶硅层(42p)上形成所述第二电极(41)。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制造方法，其中：

所述激光结晶处理为受激准分子激光退火处理(ELA)或者连续侧向结晶激光退火处理(SLS)，通过将激光扫描经过非晶硅层表面来使非晶硅结晶为微晶硅。

4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制造方法，其中：

所述衬底(45)为聚合物薄膜；

在所述衬底(45)上形成热绝缘层(45t)；

所述第二电极(44)形成在所述热绝缘层(45t)上。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池制造方法，其中：

所述第二n型非晶硅层(43n)的厚度为100至1000埃；

所述第二i型非晶硅层(43i)的厚度为1.3至3.5微米；

所述第二p型微晶硅层(43p)的厚度为70至200埃；

所述第一n型非晶硅层(42n)的厚度为70至200埃；

所述第一i型非晶硅层(42i)的厚度为0.15至0.35微米；以及

所述第一p型非晶硅层(42p)的厚度为70至200埃。

6.根据权利要求2所述的太阳能电池制造方法，其中：

所述第二n型非晶硅层(43n)的厚度为200至500埃；

所述第二i型非晶硅层(43i)的厚度为1.5至2微米；

所述第二p型微晶硅层(43p)的厚度为70至200埃；

所述第一n型非晶硅层(42n)的厚度为100至150埃；

所述第一i型非晶硅层(42i)的厚度为0.2至0.3微米；以及

所述第一p型非晶硅层(42p)的厚度为100至150埃。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池制造方法，其中：

所述热绝缘层(45t)由氧化硅或氮化硅所构成，其厚度为1-3微米。

8.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制造方法，其中：

所述第二p型微晶硅层(43p)是通过等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)方法或者形成的。

9.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制造方法，其中：

所述激光结晶处理将非晶硅层局部瞬间加热到500℃-600℃。

10.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制造方法，其中：

采用直接氢等离子体或远程氢等离子源对激光结晶处理后的转换微晶硅层进行氢化处理。

11.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制造方法，其中：

在所述第二p型微晶硅层(43p)上还形成一个a-SiGe:H构成的光电转换p-i-n结，形成双结或三结光电转换电池；

12.一种太阳能电池制造方法，其中包括如下步骤：

在透明衬底上形成第一电极(41)；

在第一电极(41)上形成依次形成第一p型非晶硅层(42p)、第一i型非晶硅层(42i)和第一n型非晶硅层(42n)；

在所述第一n型非晶硅层(42n)上依次形成第二p型非晶硅层(43p)、第二i型非晶硅层(43i)和第二n型非晶硅层(43n)；

对所形成的第二p型非晶硅层(43p)、第二i型非晶硅层(43i)和第二n型非晶硅层(43n)进行激光结晶处理，使其分别转换为第二p型微晶硅层、第二n型微晶硅层和第二i型微晶硅层；以及

在转换后的微晶硅层上形成第二电极(41)。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池制造方法，其中：

其中在形成第二p型非晶硅层(43p)之前还在第一n型非晶硅层(42n)上形成a-SiGe：H构成的p-i-n结。