[发明专利]具有光检测器阵列及周边区域的较细和较粗互连线的装置有效
| 申请号: | 201010265986.7 | 申请日: | 2010-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN102194834A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 毛杜立;文森特·瓦乃兹艾;霍华德·罗兹;戴幸志;钱胤 | 申请(专利权)人: | 美商豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有光 检测器 阵列 周边 区域 互连 装置 | ||
技术领域
本发明的实施例涉及一种具有光检测器阵列的装置。更具体而言,本发明的实施例涉及用于具有光检测器阵列的装置的互连线。
背景技术
光检测器阵列是流行的。光检测器阵列可用于广泛的多种应用中。通常,光检测器阵列可用来为各种电子器件获取影像或视频,所述电子器件诸如数字相机、相机手机(camera phone)、保安相机(security camera)、摄录一体机、医学成像器件等。其它应用的示例包括运动检测、位置感测(例如,光学鼠标)及其它消费型电子、医学、汽车、军事或其它应用。
在光检测器阵列中,存在向较小的像素大小发展的趋势。较小的像素大小可有助于提供较高像素密度、较高影像分辨率,和/或可有助于降低提供光检测器阵列的成本。
减小像素大小的挑战之一在于:每一像素或光检测器的可用于收集光的区域通常亦被减小。此趋向于减小在光检测期间由每一像素或光检测器收集的能量的总量,从而可趋向于减小光检测器阵列的敏感性。
发明内容
根据本发明的一方面,提供了一种装置,其包含:光检测器阵列;周边区域,其位于所述光检测器阵列的周边处;较细互连线,其对应于所述光检测器阵列,所述较细互连线安置于一个或多个绝缘层内;及较粗互连线,其对应于所述周边区域,所述较粗互连线安置于所述一个或多个绝缘层内。
根据本发明的另一方面,提供了一种装置,其包含:光检测器阵列;周边区域,其位于所述光检测器阵列的周边处;图案化金属化层,其位于所述光检测器阵列上并且位于所述周边区域上,其中,在所述光检测器阵列上的图案化金属化层的至少一部分的厚度小于在所述周边区域上的图案化金属化层的至少一部分的厚度。
根据本发明的另一方面,提供了一种方法,其包含:在基板的光检测器阵列及周边区域上形成一个或多个绝缘层,所述周边区域位于所述光检测器阵列的周边处;及在所述光检测器阵列上的绝缘层中蚀刻较浅沟槽,并且在所述周边区域上的绝缘层中蚀刻较深沟槽;通过将一个或多个导电材料引入至所述较浅沟槽中来在所述光检测器阵列上形成较细互连线,并且通过将一个或多个导电材料引入至所述较深沟槽中来在所述周边区域上形成较粗互连线。
附图说明
通过参考用于说明本发明的实施例的下面的描述和附图,本发明将被最佳地理解,在附图中:
图1为光检测器装置的实施例的俯视平面图;
图2为在光检测器装置的实施例的周边处截取的横截面的框图;
图3为说明安置于绝缘层或电介质层内的第一互连线与第二互连线之间的寄生电容的实施例的框图;
图4为在光检测器装置的实施例的周边处截取的横截面的框图,其示出对应于光检测器阵列的较细互连线如何提供较低的层间及层内寄生电容;
图5为在光检测器阵列及周边区域上形成互连线的方法的实施例的框流程图;
图6A至图6I为在光检测器阵列及周边区域上形成互连结构的方法的实施例的各个阶段的基板的横截面图;
图7为替代实施例的横截面图,其中较细互连线形成于蚀刻穿过蚀刻终止层的沟槽中;以及
图8为说明结合有光检测器装置的照明及影像捕获系统的实施例的框图。
【主要元件标号说明】
100 光检测器装置
102 光检测器阵列
104 周边区域
106 周边
200 光检测器装置
202 光检测器阵列
204 周边区域
206 周边
208 基板
210 绝缘层或电介质层
212 较细互连线
214 较粗互连线
310 绝缘层或电介质层
316 第一互连线
318 第二互连线
320 第一狭长矩形最右表面
322 第二狭长矩形最左表面
400 光检测器装置
402 光检测器阵列
404 周边区域
406 周边
408 基板
410 绝缘层
412-1 第一互连线
412-2 第二互连线
414-1 第三互连线
414-2 第四互连线
414-3 第五互连线
420 第一狭长大体为矩形的最右表面
422 第二狭长大体为矩形的最左表面
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





