[发明专利]PTT重平布无效
申请号: | 201010265801.2 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102373539A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 金琦 | 申请(专利权)人: | 吴江市金迪喷织厂 |
主分类号: | D03D15/00 | 分类号: | D03D15/00;D03D13/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215228 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ptt 重平布 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于风衣、长棉服、连衣休闲裙面料的PTT重平布。
背景技术
遐想是追求的前奏,因为工作节奏的压力,服装面料的多姿多彩往往可以起到很好的调节作用,因此,PTT纤维具有涤纶的稳定性和锦纶的柔软性,其表现在:1、PTT织物柔软而且具有优异的垂性;2、PTT织物具有舒适的弹性(优于涤纶PET、聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT及聚丙烯PP纤维,与尼龙6或尼龙66纤维相当);3、PTT织物具有优异的伸长恢复性(伸长20%仍可恢复其原有的长度);4、PTT具有优异的染色及印花特性(110℃~120℃、一般分散染料可以染色),优越的染色牢度、日晒牢度及抗污性;5、PTT织物具有鲜艳的颜色及免烫性;6、PTT适应性比较广泛。PTT适合纯纺或与纤维素纤维及天然纤维、合成纤维复合,生产地毯、便衣、时装、内衣、运动衣、泳装及袜子。但是现有技术下,PPT织物上浆、退浆、染色的成本高,对环境的污染大,织物手感不丰满。
发明内容
为了克服上述缺点,本发明的目的是提供一种布面有记忆效果、厚实、成本低的PTT重平布。
为达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种PTT重平布,其中,经纱由A纱线组成,纬纱由B纱线和C纱线组成;所述的A纱线纤度为50旦尼尔并由72支纤维构成的半有光全拉伸聚对苯二甲酸丙二醇酯纤维;所述的B纱线纤度为30旦尼尔并由1支纤维构成的单孔消光全拉伸锦纶;所述的C纱线纤度为150旦尼尔并由48支纤维构成的半有光全拉伸涤纶。
本发明的更进一步改进在于,经密为98根/cm,纬密为67根/cm。
本发明的更进一步改进在于,组织为重平组织。
本发明与现有技术相比具有下列优点:(1)经纱采用PTT色纱,纬纱采用涤纶单孔纤维配上涤纶色纱,利用PTT和涤纶单孔圆丝的特点,使织物整个布面既有记忆效果又比较厚实;纬纱排列非平直均衡,服装的颜色忽隐忽现,光泽冷艳柔和,(2)降低了产品原料成本,也减少了上浆、退浆、染色的成本,同时减少了对环境的污染,经重平组织使织物手感比较丰 满。
附图说明
附图1为根据本发明PTT重平布的结构示意图。
附图2为根据本发明的PTT重平布的白坯的生产工艺流程。
附图3为根据本发明的PTT重平布的染色整理的生产工艺流程。
具体实施方式
一种PTT重平布,经纱由A纱线组成,纬纱由B纱线和C纱线组成;A纱线纤度为50旦尼尔并由72支纤维构成的半有光全拉伸聚对苯二甲酸丙二醇酯纤维;B纱线纤度为30旦尼尔并由1支纤维构成的单孔消光全拉伸锦纶;C纱线纤度为150旦尼尔并由48支纤维构成的半有光全拉伸涤纶,经纱采用PTT色纱,此纱属于近年新发展的纤维;纬纱采用涤纶单孔纤维配上涤纶色纱,组织采用经重平;利用PTT和涤纶单孔圆丝的特点,使织物整个布面既有记忆效果又比较厚实;因为单孔亮丝和涤纶色纱在同一个开口中而且是分两次打纬,使得纬纱排列非平直均衡,服装的颜色忽隐忽现,光泽冷艳柔和。
经密为98根/cm,纬密为67根/cm。
参见附图1组织为重平组织,结合经重平组织,对经纬密适当加以控制,即降低了产品原料成本,也减少了上浆、退浆、染色的成本,同时减少了对环境的污染,经重平组织使织物手感比较丰满。根据附图2所示的工艺流程生产白坯,之后根据附图3所示的工艺流程进行染色整理。
通过上述的实施方式,不难看出本发明是一种有记忆效果、厚实、成本低的PTT重平布。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴江市金迪喷织厂,未经吴江市金迪喷织厂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010265801.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:涤纶提花记忆格子布
- 下一篇:搅拌摩擦焊接复合挤压制备高性能微/纳米块体技术