[发明专利]具有降低的污染的反射光学元件

权利要求书

1.一种反射光学元件(30)，特别是用于EUV光刻的反射光学元件(30)，包括：

基底(31)，以及

导电多层系统(33)，所述导电多层系统(33)在与所述基底(31)相反的侧上包括反射光学表面(34)，

其特征在于

导电层(32)，布置在所述基底(31)和多层系统(33)之间，并且是电可接触的，用于将光电流引走、用于接地或用于施加指定的电压。

2.根据权利要求1所述的反射光学元件，其中，所述导电层(32)包括金属或另外的多层系统，所述金属特别是金、镍、钌、铑、钯、钼、铱、锇、铼、银、氧化锌、这些材料的合金。

3.根据权利要求1或2所述的反射光学元件，其中，所述导电层(32)包括小于50nm、优选地小于1nm的厚度。

4.根据权利要求1至3的任一项所述的反射光学元件，其中，具有所述导电层(32)的所述基底(31)在所述多层系统(33)的边缘区域中突出，并且在所述边缘区域中，设置至少一个接触部(35)用于将线(36)连接至所述导电层(32)。

5.一种反射光学元件(40)，特别是用于EUV光刻的反射光学元件(40)，包括：

基底(41)，以及

导电多层系统(42)，所述导电多层系统(42)在与所述基底(41)相反的侧上包括反射光学表面(44)，

其特征在于

布置在所述基底(41)上、邻近所述光学表面(44)的材料(43)，所述材料(43)吸附污染物质。

6.根据权利要求5所述的反射光学元件，其中，吸附材料(43)围住所述光学表面(44)，特别是以环形方式围住所述光学表面(44)。

7.根据权利要求5或6的任一项所述的反射光学元件，其中，所述吸附材料(43)是催化材料，优选地是铑、钯、钼、铱、锇、铼、银、氧化锌、或它们的合金，特别是钌。

8.根据权利要求5至7的任一项所述的反射光学元件，其特征在于用于在所述光学表面(44)和所述吸附材料(43)之间产生温度梯度的单元(45)。

9.一种光学装置，包括至少一个根据权利要求1至4和/或5至8的任一项所述的反射光学元件(30，40)。

10.根据权利要求9所述的光学装置，其中，优选地经由线(36)将所述导电层(32)连接至体电位和/或电流或电压测量器件(37)。

11.根据权利要求10所述的光学装置，其中，将所述线(36)适配为以超过1kHz的频率测量光电流。