[发明专利]N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法

权利要求书

1.一种N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在一P型硅衬底上形成P型外延层，在所述P型外延层上的沉阱区域刻蚀出V型槽；

步骤二、在所述V型槽侧壁上形成第一氧化层，形成方法为：在所述P型硅衬底上形成所述第一氧化层，去除所述V型槽底部表面以及所述V型槽外部的所述P型外延层表面的所述第一氧化层，只保留所述V型侧壁上的所述第一氧化层；

步骤三、在所述P型硅衬底上淀积第一层多晶硅，并对所述第一层多晶硅进行P型杂质的离子注入，所述第一层多晶硅的厚度满足不填满所述V型槽的条件；

步骤四、在所述第一层多晶硅上淀积第二层多晶硅，淀积后所述第一层多晶硅和所述第二层多晶硅总厚度满足将所述V型槽完全填满的条件；

步骤五、对所述P型硅衬底进行研磨，去除所述V型槽外部的所述P型外延层上的所述第一层多晶硅和所述第二层多晶硅并使所述V型槽上部的所述第一层多晶硅和所述第二层多晶硅表面平整化；

步骤六、在所述P型硅衬底上形成第二氧化层，所述第二氧化层作为所述沉阱区域外的保护层；

步骤七、对所述P型硅衬底进行退火推进，将所述第一层多晶硅中离子注入的P型杂质推进整个所述V型槽中的所述第一层多晶硅和第二层多晶硅中，形成多晶硅P型沉阱；

步骤八、形成所述N型射频LDMOS的P阱、漂移区、源极、栅极、漏极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述P型外延层的掺杂杂质为硼、杂质体浓度为1.0E14cm^-3～1.0E15cm^-3，所述P型外延层的厚度能根据器件的耐压要求进行调整，所述P型外延层的厚度和器件的耐压关系为15V/μm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述V型槽采用各向异性刻蚀工艺形成，所述V型槽的开口张角为15°～30°、开口宽度为5μm～10μm，所述V型槽的深度大于所述P型外延层的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中采用热氧化、或沉积法形成所述第一氧化层，所述第一氧化层的厚度为所述第一氧化层的厚度的具体值要求能保证在后续工艺中能阻隔所述V型槽中P型杂质的穿透。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中所述第一层多晶硅的厚度为所述V型槽的开口宽度的1/2到2/3。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中所述第一层多晶硅的P型杂质的离子注入的注入杂质为硼、注入能量为50keV～100keV、注入剂量为1.0E15cm^-2～1.0E16cm^-2。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤六中所述第二氧化层的生长温度为800℃～900℃、所述第二氧化层的厚度为

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤七中退火推进的温度为950℃～1100℃、时间为30分钟～2小时。