[发明专利]等离子体反应器的工件除吸附设备以及使用该设备使工件除吸附的方法

权利要求书

1.一种等离子体反应器的工件除吸附设备，其特征在于该设备包括：

一个上升单元，当其接收到一个上升控制信号后，开始提升装在ESC(静电吸盘)上表面的工件，并在工件被提升后支撑工件，使工件底面中部和ESC上表面中部之间形成的空隙与工件底面边缘部分和ESC上表面边缘部分之间形成的空隙保持同样的状态；

一个ICP(电感耦合等离子体)源功率单元，其包括一个电感线圈和一个RF(射频)电源单元，所述的电感线圈设置在一个绝缘窗口的外面，而该绝缘窗口是安装在反应室的顶端，其中的反应室设有ESC，当电感线圈被供给一个RF电源时会形成一个磁场，而RF电源单元是接收到一个源功率控制信号后才向电感线圈提供上述RF电源的；和

一个控制器，其用于控制操作设有反应室的等离子体反应器，并确保工件的除吸附，它发出源功率控制信号、上升控制信号和除吸附控制信号，并在工件的除吸附过程中，控制一种通入到反应室中的除吸附气体的质量流量，同时控制反应室中的压力，

其中，由于向反应室中通入了除吸附气体，并且电感线圈产生了磁场，因此反应室中会产生抗静电的清洗等离子体，

吸附电源单元在接收到除吸附控制信号后，会停止向ESC电极提供吸附电源，使ESC的电极接地，

当上升单元提升了工件之后，抗静电的清洗等离子体会充满工件和ESC之间的空间，加速去除工件和ESC之间存在的电荷，干燥清洗ESC的表面和反应室的内部，去除灰尘颗粒，其中这些灰尘颗粒是在上升单元使ESC去除对工件的吸附过程中产生的。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于为了保证工件的蚀刻过程，控制器发出源功率控制信号和吸附控制信号，控制那些在蚀刻过程中通入到反应室中的蚀刻气体的质量流量，同时控制反应室中的压力，

由于向反应室中通入了蚀刻气体，并且电感线圈产生了磁场，因此反应室中会产生蚀刻等离子体，同时

吸附电源单元在接收到吸附控制信号后，会向ESC电极提供吸附电源。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于当工件被去除吸附后，所述的控制器向RF电源单元发出源功率控制信号，向吸附电源单元发出除吸附控制信号，然后向上升单元发出上升控制信号，同时

RF电源在接收到源电源控制信号后，会向电感线圈提供参考功率值的RF电源。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于控制器包括一个存储参考功率值和除吸附功率值的存储空间，当参考功率值不等于除吸附功率值时，控制器还会向RF电源单元发出一个电源控制信号，然后向上升单元发出上升控制信号，同时

RF电源单元在接收到上述电源控制信号后，会将供给电感线圈的RF电源功率值改变为除吸附功率值。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于控制器还会向上升单元发出一个下降控制信号，

上升单元在接收到该降落控制信号后，会将工件下降，直至工件与ESC上表面相接触，

在一个预定的延迟时间差内，至少进行一次选择性地发出上升控制信号和下降控制信号的操作之后，控制器会再次发出上升控制信号，同时

在控制器的控制下，上升单元在至少进行一次提升或降落工件的操作之后，会在接收到控制器再次发出的上升控制信号时提升工件。

6.如权利要求5所述的设备，其特征在于所述的预定延迟时间指时间(T)，而0＜T≤0.6秒。

7.如权利要求5所述的设备，其特征在于所述的上升单元将工件以X速度提升或降落，其中3.125mm/s≤X≤12.5mm/s。

8.如权利要求1所述的设备，其特征在于所述的上升单元包括：

若干个上升柱，它们安装在ESC中并穿过整个ESC，当工件被提升后，这些上升柱的一端会支撑工件的底面；

一个上升柱支撑，它安装在ESC的下面，与上述上升柱的另一端相接，支撑这些上升柱；

一个圆筒，它包括一个与上升柱支撑相连的活塞，在外部通入的空气压力下圆筒会移动活塞，从而提升所述的上升柱支撑；和

一个圆筒驱动，它接收到上升控制信号后向圆筒内通入空气，

其中由于圆筒会提升所述的上升柱支撑，因此也使那些上升柱随之上升。