[发明专利]发光二极管无效

专利信息
申请号: 201010264806.3 申请日: 2010-08-27
公开(公告)号: CN102376866A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 张国正 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600 上海市松江区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体发光元件,特别涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管通常包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一半导体层与第二半导体层之间的发光层、设置在第一半导体层表面上的第一电极、及设置在第二半导体层表面上的第二电极。上述发光二极管的电极分别通过设置导线与外界电源负极与正极相连时,发光层即可发光。发光层发出的光线可从第一半导体层直接射出,或经反射后再经第一半导体层射出。

然而,由于导线本身直径很小,在设置导线的过程中或后续封装过程中有时会出现导线断裂的情况,导致发光二极管无法使用。而且,发光二极管在第一半导体层及第二半导体层均设置有导线,使得导线出现上述断裂情况的几率会有所上升。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种发生故障几率较低的发光二极管。

一种发光二极管,包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片,所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极,所述发光二极管芯片包括一基底、叠置于基底上的一第一半导体层、叠置于第一半导体层上的一发光层、叠置于发光层上的一第二半导体层及形成于该第二半导体层上的一第三电极,所述基座的第二电极通过一导线与发光二极管芯片的第三电极电性相连,所述基座的第一电极由本体朝向发光二极管芯片凸伸而出,并穿过所述发光二极管芯片的基底而与第一半导体层电性相连。

上述发光二极管通过在基座上凸伸出一第一电极,该第一电极穿过所述发光二极管芯片的基底,直接与所述第一半导体层电性相连。因此,所述发光二极管只需在所述第二半导体层上设置导线,从而降低了发光二极管的导线发生断裂的风险。

下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1是本发明一实施例的发光二极管的立体组装图。

图2是图1中的发光二极管的元件分解图。

图3是图1中的发光二极管倒置的元件分解图。

主要元件符号说明

  基座  10  本体  12  容置部  120  导电接脚  14  第一电极  16  第二电极  18  发光二极管芯片  20  基底  21  通孔  210  N型半导体层  22  发光层  23  P型半导体层  24  第三电极  25  导线  100

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