[发明专利]化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法有效
| 申请号： | 201010263325.0 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102373445A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋麒;毕磊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/455;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 气相淀积 反应 腔中漏率 监控 方法 | ||
1.一种化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，将测漏步骤加入到化学气相淀积跑片过程的氢氟酸清洗步骤中。
2.如权利要求1所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，所述将测漏步骤加入到化学气相淀积跑片过程的氢氟酸清洗步骤中是将测漏步骤加入到氢气钝化步骤之后。
3.如权利要求1或2所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，所述测漏步骤包括如下步骤：
A、打开分子泵阀门，抽真空；
B、关闭分子泵阀门，使化学气相淀积反应腔保压；
C、检测化学气相淀积反应腔的压力，计算漏率，若漏率大于或等于报警阈值，设备报警；如果小于报警阈值，进行后续步骤。
4.如权利要求3所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，进行所述步骤A之前还包括停止流气、关闭高频电磁场的步骤。
5.如权利要求3所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，所述步骤A中抽真空时间为15秒。
6.如权利要求3所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，所述步骤A中抽真空使化学气相淀积反应腔的压力低于1毫托。
7.如权利要求3所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，所述步骤B中使化学气相淀积反应腔保压的时间为15秒。
8.如权利要求3所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，所述步骤C中漏率的报警阈值为8毫托/分。
9.如权利要求3所述的化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，所述后续步骤为开启等离子体。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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