[发明专利]晶体控温装置及其使用方法无效
申请号: | 201010262456.7 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102377094A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 樊仲维;麻云凤;牛岗 | 申请(专利权)人: | 北京国科世纪激光技术有限公司;中国科学院光电研究院 |
主分类号: | H01S3/042 | 分类号: | H01S3/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100192 北京市海淀区西*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 装置 及其 使用方法 | ||
1.一种晶体控温装置,其特征在于,包括热沉、晶体固定装置和基座,所述晶体固定装置通过第一固定装置固定在热沉的上部,所述晶体固定装置和热沉共同形成晶体容纳腔,所述热沉的下部通过第二固定装置固定在基座上,所述基座中设置有半导体制冷器容纳腔。
2.根据权利要求1所述的晶体控温装置,其特征在于,在热沉的上部还设置有热敏电阻容纳腔,所述热敏电阻容纳腔靠近晶体容纳腔设置。
3.根据权利要求1所述的晶体控温装置,其特征在于,所述第一固定装置包括第一螺钉、贯通晶体固定装置的第一通孔、设置在热沉上部的第一螺孔,所述第一螺钉穿过第一通孔与第一螺孔螺接。
4.根据权利要求1所述的晶体控温装置,其特征在于,所述第二固定装置包括第二螺钉、贯通热沉下部的第二通孔、设置在基座上的第二螺孔,所述第二螺钉穿过第二通孔与第二螺孔螺接。
5.根据权利要求1所述的晶体控温装置,其特征在于,所述半导体制冷器容纳腔的深度小于半导体制冷器的高度,所述基座的下部还设置有两条与半导体制冷器容纳腔连通的沟槽,用于放置半导体制冷器的电源线。
6.根据权利要求5所述的晶体控温装置,其特征在于,所述沟槽的宽度是2mm。
7.根据权利要求3所述的晶体控温装置,其特征在于,所述第一螺钉采用导热材料制作。
8.根据权利要求4所述的晶体控温装置,其特征在于,所述第二螺钉采用隔热材料或者绝热材料制作。
9.根据权利要求1所述的晶体控温装置,其特征在于,所述基座上还设置有晶体位置调节装置。
10.根据权利要求9所述的晶体控温装置,其特征在于,所述晶体位置调节装置包括四个第三螺孔和两个第三通孔,所述四个第三螺孔均匀分布在基座的四个角落处,所述两个第三通孔分布在半导体制冷器容纳腔的两侧。
11.根据权利要求10所述的晶体控温装置,其特征在于,所述第三螺孔的直径是2mm-4mm,所述第三通孔的直径是4mm-6mm。
12.根据权利要求1所述的晶体控温装置,其特征在于,所述热沉和基座的材料是紫铜、银或白宝石。
13.根据权利要求4所述的晶体控温装置,其特征在于,所述第二通孔为长形通孔。
14.根据权利要求13所述的晶体控温装置,其特征在于,所述长形通孔呈圆角矩形,宽度为5mm,长度为20mm,所述第二螺孔的直径为4mm。
15.一种权利要求2所述的晶体控温装置的使用方法,其特征在于,包括:
将晶体用铟箔包裹,通过晶体固定装置将晶体固定在晶体容纳腔中;
将涂满导热胶的热敏电阻放入热敏电阻容纳腔中;
将半导体制冷器放置在半导体制冷器容纳腔中;
将半导体制冷器与基座、热沉的各接触面涂满导热硅脂;
将基座与激光器的机壳底板接触,并将接触面中间涂满导热硅脂。
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